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电的 specifications
典型 值 将 仅有的 为 设计 guidance 在 t
一个
= 25
o
C
参数 标识 测试 情况
典型
值 单位
动态 特性 为 各自 npn 晶体管
噪音 图示 (低 频率) NF f = 1khz, v
CE
= 5v, i
C
= 1ma, r
S
= 1k
Ω
2.2 dB
低-频率, 输入 阻抗 R
I
f = 1.0khz, v
CE
= 5v i
C
= 1 毫安 10 k
Ω
低-频率 输出 阻抗 R
O
f = 1.0khz, v
CE
= 5v i
C
= 1 毫安 80 k
Ω
admittance 特性
向前 转移 admittance
y
FE
g
FE
f = 1mhz, v
CE
= 5v, i
C
= 1ma 7.5 mS
b
FE
f = 1mhz, v
CE
= 5v, i
C
= 1ma -j13 mS
输入 admittance
y
IE
g
IE
f = 1mhz, v
CE
= 5v, i
C
= 1ma 2.2 mS
b
IE
f = 1mhz, v
CE
= 5v, i
C
= 1ma j3.1 mS
输出 admittance
y
OE
g
OE
f = 1mhz, v
CE
= 5v, i
C
= 1ma 0.76 mS
b
OE
f = 1mhz, v
CE
= 5v, i
C
= 1ma j2.4 mS
增益-带宽 产品 f
T
V
CE
= 5v, i
C
= 1.0ma 280 MHz
V
CE
= 5v, i
C
= 5ma 335 MHz
发射级-至-根基 电容 C
EB
V
EB
= 3v 0.75 pF
集电级-至-根基 电容 C
CB
V
CB
= 3v 0.46 pF
集电级-至-基质 电容 C
CI
V
CI
= 3v 3.2 pF
动态 特性 为 各自 pnp 晶体管
噪音 图示 (低 频率) NF f = 1khz, i
C
= 100
µ
一个, r
S
= 1k
Ω
3dB
低-频率 输入 阻抗 R
I
f = 1khz, v
CE
= 5v, i
C
= 100
µ
A27k
Ω
低-频率 输出 阻抗 R
O
f = 1khz, v
CE
= 5v, i
C
= 100
µ
一个 680 k
Ω
增益-带宽 产品 f
T
V
CE
= 5v, i
C
= 100
µ
一个 6.8 MHz
发射级-至-根基 电容 C
EB
V
EB
= -3v 0.85 pF
集电级-至-根基 电容 C
CB
V
CB
= -3v 2.25 pF
根基-至-基质 电容 C
BI
V
BI
= 3v 3.05 pF
典型 产品
图示 1. 频率 比较器 使用 ca3096 图示 2. 频率 比较器 特性
2
4
3
6
1
5
15 10 12
97
14
8
13
11
16
(基质)
1
µ
F3k
Ω
3k
Ω
500
Ω
500
Ω
1k
Ω
1k
Ω
0.1
µ
F
0.1
µ
F
44003
Q
4
Q
5
输出
Q
2
f
1
f
2
v+ = 10v
便条: F
1
或者 f
2
< 10khz
输出 电压 (v)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
-20 -10 0 10 20
f
2
- f
1
> 0 f
1
= f
2
f
1
- f
2
> 0
频率 背离 (khz)
中心 频率: 1khz
ca3096, ca3096a, ca3096c
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