4
电路 描述
这 基本 比较器
图示 4 显示 这 基本 电路 图解 为 一个 的 这 二
comparators 在 这 ca3290. 它 是 generically 类似的 至 这
工业 类型 “139” comparators, 和 pmos 晶体管
replacing PNP 晶体管 作 输入 平台 elements. 晶体管
Q
1
通过 q
4
comprise 这 差别的 输入 平台, 和 q
5
和 q
6
serving 作 一个 mirror 连接 起作用的 加载 和
差别的-至-单独的-结束 转换器. 这 差别的 输入 在
Q
1
和 q
4
是 amplified 所以 作 至 toggle q
6
在 一致 和
这 输入 信号 极性. 为 例子, 如果 +v
在
是 更好 比
-v
在
,q
1
,q
2
, 和 电流 mirror 晶体管 Q
5
和 Q
6
将 是
转变 止; 晶体管 q
3
, q
4
, 和 q
7
将 是 转变 在,
造成 q
8
至 是 转变 止. 这 输出 是 牵引的 积极的
当 一个 加载 电阻 是 连接 在 这 输出 和 v+.
在 essence, q
1
和 q
4
函数 作 源 followers 至 驱动
Q
2
和 q
3
, 各自, 和 齐纳 二极管 d
1
通过 d
4
供应 门 oxide 保护 相反 输入 电压
过往旅客 (e.g., 静态的 electricity). 这 电流 flow 在 Q
1
和
Q
4
是 established 在 大概 50
µ
一个 用 常量 电流
来源 i
1
和 i
3
, 各自. 自从 q
1
和 q
4
是
运作 和 一个 常量 电流 加载, 它们的 门-至-源
电压 drops 将 是 effectively 常量 作 长 作 这 输入
电压 是 在里面 这 一般模式 范围.
作 一个 结果, 这 输入 补偿 电压 (v
gs(q1)
+ v
是(q2)
-
V
是(q3)
- v
gs(q4)
) 将 不 是 degraded 当 一个 大
差别的 直流 电压 是 应用 至 这 设备 为 扩展
时期 的 时间 在 高 温度.
额外的 电压 增益 下列的 这 first 平台 是 提供 用
晶体管 q
7
和 q
8
. 这 集电级 的 q
8
是 打开, offering
这 用户 一个 宽 多样性 的 选项 在 产品. 一个
额外的 分离的 晶体管 能 是 增加 如果 它 变为
需要 至 boost 这 输出 下沉 电流 能力.
这 详细地 图式 图解 为 一个 比较器 和 这
一般 电流 源 偏置 是 显示 在 这 front 页.
pmos 晶体管 q
9
通过 q
12
是 这 电流 源
elements identified 在 图示 4 作 i
1
通过 i
4
, 各自.
图示 2. 非-反相的 比较器 回馈 时间 测试 电路 和 波形
图示 3. 反相的 比较器 回馈 时间 测试 电路 和 波形
测试 电路 和 波形
输入
OVERDRIVE
地
100mV
OVERDRIVE
20mV
OVERDRIVE
5mV
OVERDRIVE
输入
OVERDRIVE
地
100mV
OVERDRIVE
20mV
OVERDRIVE
5mV
OVERDRIVE
+15V
1K
1K
输入
5.1k
输出
+
-
输入
OVERDRIVE
地
100mV
OVERDRIVE
20mV
OVERDRIVE
5mV
OVERDRIVE
输入
OVERDRIVE
地
100mV
OVERDRIVE
20mV
OVERDRIVE
5mV
OVERDRIVE
+15V
1K
1K
输入
5.1k
输出
+
-
ca3290, ca3290a
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