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资料编号:211683
 
资料名称:CA3102E
 
文件大小: 115.92K
   
说明
 
介绍:
Dual High Frequency Differential Amplifier For Low Power Applications Up to 500MHz
 
 


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绝对 最大 比率 热的 信息
集电级-至-发射级 电压, v
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V
集电级-至-根基 电压, v
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
集电级-至-基质 电压, v
CIO
(便条 1) . . . . . . . . . . . . . . 20V
发射级-至-根基 电压, v
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
集电级 电流, i
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50ma
运行 情况
温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
c 至 125
o
C
热的 阻抗 (典型, 便条 2)
θ
JA
(
o
c/w)
pdip 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
soic 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205
最大 电源 消耗 (任何 一个 晶体管). . . . . . . 300mW
最大 接合面 温度 (塑料 包装) . . . . . . . 150
o
C
最大 存储 温度 范围 . . . . . . . . . . -65
o
c 至 150
o
C
最大 含铅的 温度 (焊接 10s). . . . . . . . . . . . 300
o
C
(soic - 含铅的 tips 仅有的)
提醒: 压力 在之上 那些 列表 “Absolute 最大 Ratings” 导致 永久的 损坏 设备. 这个 一个 压力 仅有的 比率 运作
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
注释:
1. 集电级 各自 晶体管 CA3102 分开的 基质 一个 integral 二极管. 基质 (终端 9) 必须 连接
至 这 大多数 负的 要点 在 这 外部 电路 至 维持 分开 在 晶体管 和 至 提供 为 正常的 晶体管 action.
2.
θ
JA
是 量过的 和 这 组件 挂载 在 一个 evaluation pc 板 在 自由 空气.
电的 specifications
T
一个
= 25
o
C
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
直流 特性 为 各自 差别的 放大器
输入 补偿 电压 (计算数量 1, 4) V
IO
- 0.25 5.0 mV
输入 补偿 电流 (图示 1) I
IO
I
3
= i
9
= 2ma - 0.3 3.0
µ
一个
输入 偏差 电流 (计算数量 1, 5) I
B
- 13.5 33
µ
一个
温度 系数
巨大 的 输入 补偿 电压
- 1.1 -
µ
v/
o
C
直流 特性 为 各自 晶体管
直流 向前 根基-至-发射级 电压
(图示 6)
VBE V
CE
= 6v, i
C
= 1ma 674 774 874 mV
温度 系数 的
根基-至-发射级 电压
(图示 6)
V
CE
= 6v, i
C
= 1ma - -0.9 - mv/
o
C
集电级 截止 电流 (图示 7) I
CBO
V
CB
= 10v, i
E
= 0 - 0.0013 100 nA
集电级-至-发射级 损坏 电压 V
(br)ceo
I
C
= 1ma, i
B
= 0 15 24 - V
集电级-至-根基 损坏 电压 V
(br)cbo
I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0 20 60 - V
集电级-至-基质 损坏 电压 V
(br)cio
I
C
= 10
µ
一个, i
B
= i
E
= 0 20 60 - V
发射级-至-根基 损坏 电压 V
(br)ebo
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0 5 7 - V
动态 特性 为 各自 差别的 放大器
1/f 噪音 图示 (为 单独的 晶体管)
(图示 12)
NF f = 100khz, R
S
= 500
,
I
C
= 1ma
- 1.5 - dB
增益 带宽 产品 (为 单独的
晶体管) (图示 11)
f
T
V
CE
= 6v, i
C
= 5ma - 1.35 - GHz
集电级-根基 电容 (图示 8) C
CB
I
C
= 0,
V
CB
= 5v
便条 3 - 0.28 - pF
便条 4 - 0.15 - pF
集电级-基质
电容 (图示 8)
C
CI
I
C
= 0, v
CI
= 5v - 1.65 - pF
一般 模式 拒绝 比率 CMRR I
3
= i
9
= 2ma - 100 - dB
agc 范围, 一个 平台 (图示 2) AGC 偏差 电压 = -6v - 75 - dB
电压 增益, 单独的-结束 输出
(计算数量 2, 9, 10)
一个 偏差 电压 = -4.2v,
f = 10mhz
18 22 - dB
V
IO
T
----------------
V
T
---------------
CA3102
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