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为 各自 晶体管
直流 向前 根基-至-发射级 电压
(图示 8)
V
是
V
CB
= 3v I
C
= 50
µ
一个 - 0.630 0.700 V
I
C
= 1ma - 0.715 0.800 V
I
C
= 3ma - 0.750 0.850 V
I
C
= 10ma - 0.800 0.900 V
温度 系数 的 根基-至-发射级
电压 (图示 6)
V
CB
= 3v, i
C
= 1ma - -1.9 -
µ
v/
o
C
集电级 截止 电流 (图示 4) I
CBO
V
CB
= 10v, i
E
= 0 - 0.002 100 nA
集电级-至-发射级 损坏 电压 V
(br)ceo
I
C
= 1ma, i
B
= 0 15 24 - V
集电级-至-根基 损坏 电压 V
(br)cbo
I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0 20 60 - V
集电级-至-基质 损坏
电压
V
(br)cio
I
C
= 10
µ
一个, i
CI
= 0 20 60 - V
发射级-至-根基 损坏 电压 V
(br)ebo
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0 5 7 - V
动态 特性
一般 模式 拒绝 比率 为 各自
放大器 (计算数量 1, 10)
CMRR V
CC
= 12v, v
EE
= -6v,
V
X
= -3.3v, f = 1khz
- 100 - dB
agc 范围, 一个 平台 (计算数量 2, 11) AGC V
CC
= 12v, v
EE
= -6v,
V
X
= -3.3v, f = 1khz
-75 -dB
电压 增益, 单独的 平台 翻倍-结束
输出 (计算数量 2, 11)
AV
CC
= 12v, v
EE
= -6v,
V
X
= -3.3v, f = 1khz
-32 -dB
agc 范围, 二 平台 (计算数量 3, 12) AGC V
CC
= 12v, v
EE
= -6v,
V
X
= -3.3v, f = 1khz
- 105 - dB
电压 增益, 二 平台 翻倍-结束 输出
(计算数量 3, 12)
AV
CC
= 12v, v
EE
= -6v,
V
X
= -3.3v, f = 1khz
-60 -dB
低 频率, 小 信号 相等的 电路 char-
acteristics (为 单独的 晶体管)
向前 电流 转移 比率 (图示 13) h
FE
f = 1khz, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 110 - -
短的 电路 输入 阻抗 (图示 13) h
IE
f = 1khz, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 3.5 - k
Ω
打开 电路 输出 阻抗
(图示 13)
h
OE
f = 1khz, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 15.6 -
µ
S
打开 电路 反转 电压 转移
比率 (图示 13)
h
RE
f = 1khz, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 1.8 x
10
-4
--
1/f 噪音 图示 为 单独的 晶体管 NF f =1khz, v
CE
= 3v - 3.25 - dB
增益 带宽 产品 为 单独的
晶体管 (图示 14)
f
T
V
CE
= 3v, i
C
= 3ma - 550 - MHz
admittance 特性; 差别的
电路 配置 (为 各自 放大器)
向前 转移 admittance (图示 15) Y
21
V
CB
= 3v, f = 1mhz
各自 集电级 i
C
≈
1.25ma
- -20 + j0 - mS
输入 admittance (图示 16) Y
11
V
CB
= 3v, f = 1mhz
各自 集电级 i
C
≈
1.25ma
- 0.22 +
j0.1
-ms
输出 admittance (图示 17) Y
22
V
CB
= 3v, f = 1mhz
各自 集电级 i
C
≈
1.25ma
- 0.01 +
j0
-ms
反转 转移 admittance (图示 18) Y
12
V
CB
= 3v, f = 1mhz
各自 集电级 i
C
≈
1.25ma
- -0.003
+ j0
-ms
电的 specifications
T
一个
= 25
o
C
(持续)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
∆
V
是
∆
T
----------------
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