飞利浦 半导体 产品 数据
CBT338410-位 总线 转变 和 5-位 输出 使能
2001 dec 20
4
直流 电的 特性
限制
标识 参数 测试 情况
T
amb
= –40 至 +85
°
C
单位
最小值 Typ
1
最大值
V
IK
输入 clamp 电压 V
CC
= 4.5 v; i
I
= –18 毫安 — — –1.2 V
I
I
输入 泄漏 电流 V
CC
= 5.5 v; v
I
= 地 或者 5.5 v — —
±
1
µ
一个
I
CC
安静的 供应 电流
2
V
CC
= 5.5 v; i
O
= 0, v
I
= v
CC
或者 地 — — 3
µ
一个
∆
I
CC
额外的 供应 电流 每 输入 管脚
2
V
CC
= 5.5 v, 一个 输入 在 3.4 v, 其它 输入 在 v
CC
或者 地
— — 2.5 毫安
C
I
控制 管脚 V
I
= 3.0 v 或者 0 — 4 — pF
C
i(止)
端口 止 电容 V
O
= 3.0 v 或者 0, oe= v
CC
— 10 — pF
3
V
CC
= 4.5 v; v
I
= 0 v; i
I
= 64 毫安 — 5 7
r
在
3
在-阻抗
V
CC
= 4.5 v; v
I
= 0 v; i
I
= 30 毫安 — 5 7
Ω
V
CC
= 4.5 v; v
I
= 2.4 v; i
I
= –15 毫安 — 10 15
V
P
通过 电压 V
I
= v
CC
= 5.0 v; i
O
= –100
µ
一个 3.4 3.6 3.9 V
I
UCP
undershoot 静态的 电流 保护 V
CC
= 5.0 v, i
B
= 400
µ
一个; oe= 5.0 v; v
B
≥
3.0 v — 8 — 毫安
注释:
1. 所有 典型 值 是 在 v
CC
= 5 v, t
amb
= 25
°
C
2. 这个 是 这 增加 在 供应 电流 为 各自 输入 那 是 在 这 指定 ttl 电压 水平的 相当 比 v
CC
或者 地.
3. 量过的 用 这 电压 漏出 在 这 一个 和 这 b terminals 在 这 表明 电流 通过 这 转变. 在-状态 阻抗 是
决定 用 这 最低 电压 的 这 二 (一个 或者 b) terminals.
交流 特性
地 = 0 v; t
r;
C
L
= 50 pf
从 至
限制
标识 参数
从
(输入)
至
(输出)
V
CC
= +5.0 v
±
0.5 v
单位
(输入) (输出)
最小值 最大值
t
pd
传播 延迟
1
一个 或者 b b 或者 一个 — .25 ns
t
en
输出 使能 时间
至 高 和 低 水平的
OE 一个 或者 b 1.0 5.7 ns
t
dis
输出 使不能运转 时间
从 高 和 低 水平的
OE 一个 或者 b 1.0 5.2 ns
便条:
1. 这个 参数 是 warranted 但是 不 生产 测试. 这 传播 延迟 是 为基础 在 这 rc 时间 常量 的 这 典型 on–state
阻抗 的 这 转变 和 一个 加载 电容 的 50 pf, 当 驱动 用 一个 完美的 电压 源 (零 输出 阻抗).
限制
标识 参数 描述
T
amb
=
–40 至 +85
°
C
V
CC
= 5 v,
±
0.5 v
单位
最小值 意思 最大值
t
pd
传播 延迟 (看 便条 1) — — 250 ps
t
PZH
输出 使能 时间 至 高 水平的 1.6 3.4 5.6 ns
t
PHZ
输出 使能 时间 从 高 水平的 1.7 3.3 5.5 ns
t
PZL
输出 使能 时间 至 低 水平的 2.3 4 6 ns
t
PLZ
输出 使能 时间 从 低 水平的 2.5 4.5 6.6 ns
便条:
1. 这个 参数 是 warranted 但是 不 生产 测试. 这 传播 延迟 是 为基础 在 这 rc 时间 常量 的 这 典型 在-状态
阻抗 的 这 转变 和 一个 加载 电容 的 50 pf, 当 驱动 用 一个 完美的 电压 源 (零 输出 阻抗); 在 +25
°
c.
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