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描述 和 运作
这 members 的 这个 家族 是 单独的 电源 供应
分发 控制者 为 generic hot swap 产品
横过 这 +2.5v 至 +12v 供应 范围. 这 isl6115 是
targeted 为 +12v switching 产品 whereas 这
isl6116 是 targeted 为 +5v, 这 isl6117 为 +3.3v 和 这
isl6120 为 +2.5v 产品. 各自 ic 有 一个 hardwired
欠压 (uv) 门槛 水平的 大概 17% 更小的
比 这 陈述 电压.
这些 ics 特性 一个 高级地 精确 可编程序的
overcurrent (oc) detecting 比较器, 可编程序的
电流 规章制度 (cr) 和可编程序的 时间 延迟 至
获得 止, 和 可编程序的 软 开始 转变-在 ramp 所有 设置
和 一个 最小 的 外部 被动的 组件. 这 ics
也 包含 severe oc 保护 那 立即 shuts
向下 这 场效应晶体管 转变 应当 一个 迅速 加载 电流
瞬时 此类 作 一个 near dead 短的 导致 这 cr vth 至
超过 这 编写程序 水平的 用 150mv. additionally, 这
ics 有 一个 uv 指示信号 和 一个 oc 获得 指示信号. 这
符合实际 的 这 pgood 特性 是 enabled once 这 ic 是
片面的, monitoring 和 reporting 任何 uv 情况 在 这
isen 管脚.
在之上 最初的 电源 向上, 这 ic能 也 分开 这 电压
供应 从 这 加载 用 支持 这 外部 n-频道
场效应晶体管 转变 止 或者 应用 这 供应 栏杆 电压 直接地 至
这 加载 为 真实 hot swap 能力.这 pwron 管脚 必须
是 牵引的 低 为 这 设备 至 分开 这 电源 供应 从
这 加载 用 支持 这 外部 n-频道 场效应晶体管 止.
和 这 pwron 管脚 使保持 高 或者 floating 这 ic 将 是 在
真实 hot swap 模式. 在 两个都 具体情况 这 ic 转变 在 在 一个 软
开始 模式 protecting 这 供应 栏杆 从 sudden 在-rush
电流.
在 转变-在, 这 外部 门 电容 的 这 n-频道
场效应晶体管 是 charged 和 一个 10
µ
一个 电流 源 结果 在
一个 可编程序的 ramp (软 开始 转变-在). 这 内部的
isl6115 承担 打气 供应 这 门 驱动 为 这 12v
供应 转变 驱动 那 门 至 ~v
DD
+5v, 为 这 其它
三 ics 这 门 驱动 电压 是 限制 至 这 碎片 偏差
电压, vdd.
加载 电流 passes 通过 这 外部 电流 sense
电阻. 当 这 电压 横过这 sense 电阻 超过
这 用户 编写程序 cr 电压 门槛 值, (看 表格 1
为 r
ISET
程序编制 电阻 值 和 结果 名义上的
电流 规章制度 门槛 电压, v
CR
) 这 控制 enters
它的 电流 规章制度 模式. 在 th是 时间, 这 时间-输出 电容,
在 c
TIM
管脚 是 charged 和 一个 20
µ
一个 电流 源 和 这
控制 enters 这 电流 限制 时间 至 获得-止 时期. 这
长度 的 这 电流 限制 时间 至 获得-止 持续时间 是 设置 用 这
值 的 一个 单独的 外部 电容 (看 表格 2 为 ctim
电容 值 和 结果 名义上的 电流 限制 时间 输出
至 获得-止 持续时间) 放置 从 这 ctim 管脚 (管脚 6) 至
地面. 这 编写程序 电流 level 是 使保持 直到 也 这
oc 事件 passes 或者 这 时间 out 时期 expires. 如果 这 former
是 这 情况 然后 这 n-频道 场效应晶体管 是 全部地 增强
和 这 c
TIM
电容 是 释放. once ctim charges 至
1.87v, signaling 那 这 时间 输出 时期 有 expired 一个
内部的 获得 是 设置 凭此 这 场效应晶体管 门 是 quickly 牵引的 至
0v turning 止 这 n-频道 场效应晶体管 转变, isolating 这
faulty 加载.
这个 ic responds 至 一个 severe overcurrent 加载 (定义 作 一个
电压 横过 这 sense 电阻 >150mv 在 这 oc vth 设置
要点) 用 立即 驱动 这 n-频道 场效应晶体管 门 至
0v 在 关于 10
µ
s. 这 门 电压 是 然后 慢速地 ramped 向上
turning 在 这 n-频道 场效应晶体管 至 这 编写程序 电流
规章制度 水平的; 这个 是 the 开始 的 这 时间 输出 时期.
在之上 一个 uv 情况 这 pgood 信号 将 拉 低 当
系 高 通过 一个 电阻 至 这 逻辑 或者 vdd 供应. 这个
管脚 是 一个 uv 故障 指示信号. 为 一个 oc 获得 止 indication,
监控 ctim, 管脚 6. 这个 管脚 将 上升 迅速 从 1.9v 至
vdd once 这 时间 输出 时期 expires.
看 计算数量 12 至 16 为 waveforms 相关的 至 text.
这 ic 是 重置 之后 一个 oc 获得-止 情况 用 一个 低 水平的
在 这 pwron 管脚 和 是 转变 在 用 这 pwron 管脚
正在 驱动 高.
应用 仔细考虑
在 这 软 开始 和 这 时间-输出 延迟 持续时间 和 这
ic 在 它的 电流 限制 模式, 这 v
GS
的 这 外部 n-频道
场效应晶体管 是 减少 驱动 这 mosfet 转变 在 一个 (直线的
区域) 高 r
ds(在)
状态. strike 一个 balance 在 这 cr
限制 和 这 定时 (所需的)东西 至 避免 时期 当 这
外部 n-频道 mosfets 将 是 损坏 或者 destroyed
预定的 至 过度的 内部的 电源 消耗. 谈及 至 这
场效应晶体管 soa
信息 在 这 生产者’s 数据 薄板.
当 驱动 特别 大 电容的 负载 一个 变长 软
开始 时间 至 阻止 电流 规章制度 在之上 charging 和 一个
短的 cr 时间 将 提供 这 最好的 应用 解决方案 相关的
至 可靠性 和 场效应晶体管 mtf.
物理的 布局 的 r
SENSE
电阻
是 核心的 至 避免 这
possibility 的 false overcurrent occurrences. ideally, 查出
routing 在 这 r
SENSE
电阻器 和 这 ic 是 作 直接
TABLE1.
R
ISET
电阻 名义上的 oc vth
10k
Ω
200mV
4.99k
Ω
100mV
2.5k
Ω
50mV
750
Ω
15mV
便条: 名义上的 vth = r
ISET
x 20
µ
一个.
TABLE2.
C
TIM
电容 名义上的 电流 限制 时期
0.022
µ
F2ms
0.047
µ
f4.4ms
0.1
µ
f9.3ms
便条: 名义上的 时间-输出 时期 = c
TIM
x 93k
Ω
.
isl6115, isl6116, isl6117, isl6120
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