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UCC1581
UCC2581
UCC3581
电的 特性:
除非 否则 陈述, 这些 规格 应用 为 vdd = 10v, 0.1
µ
f 电容
从 vdd 至 地, 1.0
µ
f 电容 从 ref 至 地, rt1 = 680k
Ω
, rt2 = 12k
Ω
, ct = 750pf 和 t
一个
= t
J
.
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
电流 sense 部分
输入 偏差 电流 –150 20 150 nA
overcurrent 门槛 0.4 0.5 0.6 V
输出 部分
输出 低 水平的 i = 100ma 0.6 1.2 V
输出 高 水平的 i = –100ma, vdd – 输出 0.6 1.2 V
上升/下降 时间 (便条 1) 20 100 ns
软 开始 部分
软 开始 电流 ss = 2v –9 –11.5 –14
µ
一个
碎片 使能 部分
VIH 1.9 2.0 2.1 V
VIL 1.7 1.8 1.9 V
Hysteresis 180 230 280 mV
源 电流 51015
µ
一个
整体的 部分
开始-向上 电流 vdd < 开始 门槛 85 130
µ
一个
运行 供应 电流 vc = 0v 300 600
µ
一个
vdd 齐纳 调往 电压 I
DD
= 10ma 13.5 15 16.5 V
I
DD
保卫-用 调往 电压 en = 0v 100 150
µ
一个
便条 1: 有保证的 用 设计. 不 100% 测试 在 生产
ct:
振荡器 定时 电容 管脚. 最小 值 是
100pf.
dcmin:
输入 为 程序编制 最小 职责 循环
在哪里 脉冲波 skipping begins. 这个 管脚 能 是 grounded
至 使不能运转 最小 职责 循环 特性 和 脉冲波
skipping.
en:
使能 输入. 这个 管脚 有 一个 内部的 10
µ
一个 拉-向上.
一个 逻辑 低 输入 inhibits 这 PWM 输出 和 导致 这
软 开始 电容 至 是 释放.
地:
电路 地面.
gt:
管脚 为 controlling 这 门 的 一个 外部 depletion
模式 n-场效应晶体管 为 这 startup 供应. 这 外部
n-场效应晶体管 regulates VDD 至 7.5v 直到 这 自举
供应 comes 向上, 然后 gt 变得 低.
isen:
输入 为 overcurrent 比较器. 这个 函数
能 是 使用 为 脉冲波-用-脉冲波 电流 限制的. 这
门槛 是 0.5v 名义上的.
输出:
门 驱动 输出 至 外部 n-场效应晶体管.
ref:
4.0v 涉及 输出. 一个 最小 值 绕过
电容 的 1.0
µ
f 是 必需的 为 稳固.
rt1:
电阻 管脚 至 程序 振荡器 charging 电流.
这 振荡器 charging 电流 是
92
20
1
.
.
•
V
RT
.
看 应用 图解 图. 1.
这 电流 在 这个 管脚 是
20
1
.
V
RT
.
这 值 的 rt1 应当 是 在 220k 和 1m
Ω
.
rt2:
电阻 管脚 至 程序 振荡器 释放 时间.
这 最小 值 的 RT2 是 10k
Ω
. 看 应用
图解 图. 1.
ss:
软 开始 电容 管脚. 这 charging 电流 输出 的
ss 是 3.75x 这 电流 在 rt1.
同步:
振荡器 同步 管脚. Rising 边缘
triggered cmos/ttl 兼容 输入 和 一个 2.1v
门槛. 同步 应当 是 grounded 如果 不 使用. 这
最小 脉冲波 宽度 的 这 同步 信号 是 100ns.
vc:
控制 电压 输入 至 PWM 比较器. 这
名义上的 控制 范围 的 vc 是 1.0v 至 2.5v.
vdd:
碎片 输入 电源 和 一个 15V 内部的 clamp. VDD
是 管制 用 startup 场效应晶体管 至 7.5v 直到 这 自举
电压 comes 向上. VDD 应当 是 绕过 在 这 碎片
和 一个 0.1
µ
f 最小 电容.
管脚 描述
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