RT9263CCX5_集成电路资料查询网

RT9263
初步的
www.richtek-ic.com.tw ds9263-00   十一月 2001
2
图. 2   0.4a ~ 1a 输出 电流 应用
图. 3 高 电压 应用 (rm 应当 是 增加 当 il > 100ma)
图.4 高 电压 应用 和 关闭 控制
C1
100
µ
F
VDD
LX
EXT
地FB
3.3V
V
OU T1
C2
1
µ
F
D1
1N5819
L1
4.7
µ
H
R1
1.6M
R2
980K
V
在
100pF
100
µ
F
RT9263ECX5
+
+
Q1
NMOS
C1
100
µ
F
VDD
EXT
LX
地FB
15V
V
OU T1
C2
1
µ
F
R1
2.2M
R2
200K
RT9263ECX5
+
Q1
NMOS
100
µ
F
+
3. 3/5V
V
在
L1
10
µ
H
0.1
µ
F
Rm
0.05~0.1
Ω
D1
C1
100
µ
F
VDD
LX
CE地FB
15V
V
OU T1
C2
1
µ
F
R1
2.2M
R2
200K
RT9263CCX5
+
Q1
NMOS
100
µ
F
+
3.3/5V
V
在
L1
10
µ
H
0.1
µ
F
D1
ChipEnable

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RT9263 初步的 www.richtek-ic.com.tw ds9263-00 十一月 2001 2 图. 2 0.4a ~ 1a 输出电流应用图. 3 高电压应用 (rm 应当是增加当 il > 100ma) 图.4 高电压应用和关闭控制 C1 100 µ F VDD LX EXT 地FB 3.3V V OU T1 C2 1 µ F D1 1N5819 L1 4.7 µ H R1 1.6M R2 980K V 在 100pF 100 µ F RT9263ECX5 + + Q1 NMOS C1 100 µ F VDD EXT LX 地FB 15V V OU T1 C2 1 µ F R1 2.2M R2 200K RT9263ECX5 + Q1 NMOS 100 µ F + 3. 3/5V V 在 L1 10 µ H 0.1 µ F Rm 0.05~0.1 Ω D1 C1 100 µ F VDD LX CE地FB 15V V OU T1 C2 1 µ F R1 2.2M R2 200K RT9263CCX5 + Q1 NMOS 100 µ F + 3.3/5V V 在 L1 10 µ H 0.1 µ F D1 ChipEnable

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