8
初步的 规格
8 mbit multi-目的 flash
SST39VF088
©2003 硅 存储 技术, 公司 s71227-04-000 11/03
表格 5: 直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
= 2.7-3.6v
1
标识 参数
限制
测试 情况最小值 最大值 单位
I
DD
电源 供应 电流 地址 输入=v
ILT
/v
iht,
在 f=5 mhz,
V
DD
=V
DD
最大值
读
2
15 毫安 CE#=V
IL
, oe#=we#=v
IH
, 所有 i/os 打开
程序 和 擦掉 30 毫安 CE#=WE#=V
IL
, oe#=v
IH
I
SB
备用物品 v
DD
电流 20 µA CE#=V
IHC
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 10 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
V
IL
输入 低 电压 0.8 V V
DD
=V
DD
最小值
V
ILC
输入 低 电压 (cmos) 0.3 V V
DD
=V
DD
最大值
V
IH
输入 高 电压 0.7v
DD
VV
DD
=V
DD
最大值
V
IHC
输入 高 电压 (cmos) V
DD
-0.3 V V
DD
=V
DD
最大值
V
OL
输出 低 电压 0.2 V I
OL
=100 µa, v
DD
=V
DD
最小值
V
OH
输出 高 电压 V
DD
-0.2 V I
OH
=-100 µa, v
DD
=V
DD
最小值
t5.1 1227
1. 典型 情况 为 这 起作用的 电流 显示 在 这 front 页 的 这 数据 薄板 是 平均 值 在 25°c
(房间 温度), 和 v
DD
= 3v. 不 100% 测试.
2. 这 i
DD
电流 列表 是 典型地 较少 比 2ma/mhz, 和 oe# 在 v
ih.
典型 v
DD
是 3v.
表格 6: R
ECOMMENDED
S
YSTEM
P
OWER
-
向上
T
IMINGS
标识 参数 最小 单位
T
pu-读
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 initial 资格 和 之后 一个 设计 或者 process 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
电源-向上 至 读 运作 100 µs
T
pu-写
1
电源-向上 至 程序/擦掉 运作 100 µs
t6.0 1227
表格 7: C
APACITANCE
(ta = 25°c, f=1 mhz, 其它 管脚 open)
参数 描述 测试 情况 最大
C
i/o
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 initial 资格 和 之后 一个 设计 或者 process 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
i/o 管脚 电容 V
i/o
= 0v 12 pf
C
在
1
输入 电容 V
在
= 0v 6 pf
t7.0 1227
表格 8: R
ELIABILITY
C
HARACTERISTICS
标识 参数 最小 规格 单位 测试 方法
N
终止
1,2
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 initial 资格 和 之后 一个 设计 或者 process 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
2. N
终止
忍耐力 比率 是 qualified 作 一个 10,000 循环 最小 为 这 全部的 设备. 一个 sector- 或者 块-水平的 比率 将 结果 在一个
高等级的 最小 规格.
忍耐力 10,000 循环 电子元件工业联合会 标准 a117
T
DR
1
数据 保持 100 年 电子元件工业联合会 标准 a103
I
LTH
1
获得 向上 100 + i
DD
毫安 电子元件工业联合会 标准 78
t8.0 1227
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