初步的 规格
8 mbit multi-目的 flash
SST39VF088
7
©2003 硅 存储 技术, 公司 s71227-04-000 11/03
绝对 最大 压力 比率
(应用 情况 更好 比 那些 列表 下面 “absolute 最大
压力 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 情况 或者 情况 更好 比 那些 定义 在 这 运算的 sections 的 这个 数据
薄板 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 压力 比率 情况 将 影响 设备 可靠性.)
温度 下面 偏差 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . .-55°c 至 +125°c
存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . .-65°c 至 +150°c
d. c. 电压 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5v 至 v
DD
+0.5v
瞬时 电压 (<20 ns) 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -2.0v 至 v
DD
+2.0v
电压 在 一个
9
管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5v至 13.2v
包装 电源 消耗 能力 (ta = 25°c). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . 1.0w
表面 挂载 含铅的 焊接 温度 (3 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . 240°C
输出 short 电路 电流
1
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50毫安
1. 输出 短接 为 非 更多 比 一个 第二. 非 更多 比 一个 输出 短接 在 一个 时间.
O
PERATING
R
ANGE
为
SST39VF088
范围 包围的 温度 V
DD
商业的 0°c 至 +70°c 2.7-3.6v
工业的 -40°c 至 +85°c 2.7-3.6v
交流 c
ONDITIONS
的
T
EST
输入 上升/下降 时间 . . . . . . . . . . . . . . 5 ns
输出 加载 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . C
L
= 100 pf
看 计算数量 11 和 12
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