数据 薄板
512 kbit 页-模式 可擦可编程只读存储器
sst29ee512 / sst29le512 / sst29ve512
5
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71060-06-000 6/01 301
图示 2: P
在
一个
SSIGNMENTS
为
32-
含铅的
TSOP
图示 3: P
在
一个
SSIGNMENTS
为
32-
管脚
PDIP
301 ill f01.2
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE#
V
DD
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
OE#
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
标准 引脚
顶 视图
消逝 向上
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32-管脚
PDIP
顶 视图
301 ill f02.2
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
V
SS
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
DD
WE#
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE#
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
表格 2: P
在
D
ESCRIPTION
标识 管脚 名字 功能
一个
15
-一个
7
行 地址 输入 至 提供 记忆 地址. 行 地址 定义 一个 页 为 一个 写 循环.
一个
6
-一个
0
column 地址 输入 column 地址 是 toggled 至 加载 页 数据
DQ
7
-dq
0
数据 输入/输出 至 输出 数据 在 读 循环 和 receive 输入 数据 在 写 循环.
数据 是 内部 latched 在 一个 写 循环.
这 输出 是 在 触发-状态 当 oe# 或者 ce# 是 高.
CE# 碎片 使能 至 活动 这 设备 当 ce# 是 低.
OE# 输出 使能 至 门 这 数据 输出 缓存区.
WE# 写 使能 至 控制 这 写 行动.
V
DD
电源 供应 至 提供: 5.0v 供应 (±10%) 为 sst29ee512
3.0v 供应 (3.0-3.6v) 为 sst29le512
2.7v 供应 (2.7-3.6v) 为 sst29ve512
V
SS
地面
NC 非 连接 unconnected 管脚.
t2.1 301
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