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© 1998 硅 存储 技术, 公司 329-09 11/98
16 megabit multi-目的 flash
sst39vf160q / sst39vf160
进步 信息
绝对 最大 压力 比率
(应用 情况 更好 比 那些 列表 下面 “absolute 最大 压力
ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备
在 这些 情况 或者 情况 更好 比 那些 定义 在 这 运算的 sections 的 这个 数据 薄板 是 不 暗指.
暴露 至 绝对 最大 压力 比率 情况 将 影响 设备 可靠性.)
温度 下面 偏差 ................................................................................................................. -55°c 至 +125°c
存储 温度 ...................................................................................................................... -65°c 至 +150°c
d. c. 电压 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 ...................................................................... -0.5v 至 v
DDQ
(2)
+ 0.5v
瞬时 电压 (<20 ns) 在 任何 管脚 至 地面 潜在的.................................................. -1.0v 至 v
DDQ
(2)
+ 1.0v
电压 在 一个
9
管脚 至 地面 潜在的 ................................................................................................ -0.5v 至13.2v
包装 电源 消耗 能力 (ta = 25°c) ........................................................................................... 1.0w
表面 挂载 含铅的 焊接 温度 (3 秒) ............................................................................... 240°C
输出 短的 电路 电流
(1)
.................................................................................................................................................................
50 毫安
便条:
(1)
输出 短接 为 非 更多 比 一个 第二. 非 更多 比 一个 输出 短接 在 一个 时间.
(2)
这 绝对 最大 压力 比率 为 sst39vf160 是 关联 至 v
DD
.
交流 c
ONDITIONS
的
T
EST
输入 上升/下降 时间 ......... 10 ns
输出 加载..................... 1 ttl 门 和 c
L
= 100 pf
看 计算数量 14 和 15
O
PERATING
R
ANGE
范围 包围的 温度 V
DD
V
DDQ
商业的 0 °c 至 +70 °c 2.7v - 3.6v V
DD
或者 4.5v - 5.5v
工业的 -40 °c 至 +85 °c 2.7v - 3.6v V
DD
或者 4.5v - 5.5v
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