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© 1998 硅 存储 技术, 公司 329-09 11/98
16 megabit multi-目的 flash
sst39vf160q / sst39vf160
进步 信息
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T
能
11: r
ELIABILITY
C
HARACTERISTICS
标识 参数 最小 规格 单位 测试 方法
N
终止
(1)
忍耐力 10,000 循环 mil-标准-883, 方法 1033
T
DR
(1)
数据 保持 100 年 电子元件工业联合会 标准 a103
V
zap_hbm
(1)
静电释放 susceptibility 1000 伏特 电子元件工业联合会 标准 a114
人 身体 模型
V
zap_mm
(1)
静电释放 susceptibility 200 伏特 电子元件工业联合会 标准 a115
机器 模型
I
LTH
(1)
获得 向上 100 + i
DD
毫安 电子元件工业联合会 标准 78
便条:
(1) 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 参数.
329 pgm t12.2
T
能
10: c
APACITANCE
(ta = 25 °c, f=1 mhz, 其它 管脚 open)
参数 描述 测试 情况 最大 (tsop) 最大 (tfbga)
C
i/o
(1)
i/o 管脚 电容 V
i/o
= 0v 12 pf 12pF
C
在
(1)
输入 电容 V
在
= 0v 6 pf 6pF
便条:
(1) 这个
参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 参数.
329 pgm t11.1
329 pgm t10.2
T
能
9: r
ECOMMENDED
S
YSTEM
P
OWER
-
向上
T
IMINGS
标识 参数 最小 单位
T
pu-读
(1)
电源-向上 至 读 运作 100 µs
T
pu-写
(1)
电源-向上 至 程序/擦掉 100 µs
运作
T
能
8: 直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
= 2.7-3.6v
和
V
DDQ
= v
DD
或者
4.5v - 5.5v
限制
标识 参数 最小值 最大值 单位 测试 情况
I
DD
电源 供应 电流 CE#=OE#=V
il,
WE#=V
IH
, 所有 i/os 打开,
读 20 毫安 地址 输入 = v
IL
/v
IH
, 在 f=1/t
RC
最小值
程序 和 擦掉 25 毫安 CE#=WE#=V
il,
OE#=V
ih,
V
DD
=V
DD
最大值
I
SB
备用物品 v
DD
电流 10 µA CE#=V
IHC
, v
DD
= v
DD
最大值
I
ALP
自动 低 电源 电流 10 µA CE#=V
IHC
, v
DD
= v
DD
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
= v
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 1 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
= v
DD
最大值
V
IL
输入 低 电压 0.8 V V
DD
= v
DD
最大值
V
ILC
输入 低 电压 (cmos) 0.3 V V
DD
= v
DD
最大值
V
IH
输入 高 电压 2.0 V V
DD
= v
DD
最大值
V
IHC
输入 高 电压 (cmos) V
DD
-0.3 V V
DD
= v
DD
最大值
V
OL
输出 低 电压 0.4 V I
OL
= 100 µa, v
DD
= v
DD
最小值
V
OH
输出 高 电压 2.4 V I
OH
= -100 µa, v
DD
= v
DD
最小值
V
H
supervoltage 为 一个
9
管脚 11.4 12.6 V ce# = oe# =v
IL
, we# = v
IH
I
H
supervoltage 电流 200 µA ce# = oe# = v
IL
, we# = v
IH
, 一个
9
= v
H
最大值
为 一个
9
管脚
329 pgm t9.8
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