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手机版
资料编号:218134
资料名称:
CEM11C2
文件大小: 59.03K
说明
:
介绍
:
Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
CEM11C2
n-频道
电的
特性
(t
一个
=25
C
除非
否则
指出)
参数
标识
情况
最小值
Ty
p
最大值
单位
止
特性
流-源
损坏
电压
BV
DSS
V
GS
=
0v,i
D=
250
µ
一个
30
V
零
门
电压
流
电流
I
DSS
V
DS
=
30v,
V
GS
=
0V
1
µ
一个
门-身体
泄漏
I
GSS
V
GS
=
20v,
V
DS
=
0V
100
nA
在
特性
b
门
门槛
电压
V
gs(th)
V
DS
=
V
GS
,i
D
=
250
µ
一个
13
V
流-源
在-状态
阻抗
R
ds(在)
V
GS
=
10v,
I
D
=
7A
24
30
m
Ω
V
GS
=
4.5v,
I
D
=
3.5a
32
42
m
Ω
在-状态
流
电流
I
d(在)
V
DS
=
5v,
V
GS
=
10V
30
8
一个
SForward
跨导
FS
g
V
DS
=
15v,
I
D
=
7A
动态
特性
c
输入
电容
C
ISS
C
RSS
C
OSS
输出
电容
反转
转移
电容
V
DS
=15v,
V
GS
=0V
f
=1.0mh
Z
804
P
F
328
P
F
P
F
79
切换
特性
c
转变-在
延迟
时间
上升
时间
转变-止
延迟
时间
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
V
DD
=25v,
I
D
=1a,
V
GS
=10v,
R
GEN
=6
16
24
ns
ns
ns
ns
7
14
47
60
10
15
总的
门
承担
门-源
承担
门-流
承担
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=15v,
I
D
=
2a,
V
GS
=10V
20
24
nC
nC
nC
3
6
C
下降
时间
Ω
5-149
5
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