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资料编号:218134
 
资料名称:CEM11C2
 
文件大小: 59.03K
   
说明
 
介绍:
Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
CEM11C2
n-频道 电的 特性 (t
一个
=25 C 除非 否则 指出)
参数
标识
情况
最小值
Typ
最大值
单位
特性
流-源 损坏 电压
BV
DSS
V
GS
=
0v,i
D=
250
µ
一个
30
V
电压 电流
I
DSS
V
DS
=
30v, V
GS
=
0V
1
µ
一个
门-身体 泄漏
I
GSS
V
GS
=
20v, V
DS
=
0V
100
nA
特性
b
门槛 电压
V
gs(th)
V
DS
=
V
GS
,i
D
=
250
µ
一个
13
V
流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
V
GS
=
10v, I
D
=
7A
24
30
m
V
GS
=
4.5v, I
D
=
3.5a
32
42
m
在-状态 电流
I
d(在)
V
DS
=
5v, V
GS
=
10V
30
8
一个
SForward 跨导
FS
g
V
DS
=
15v, I
D
=
7A
动态 特性
c
输入 电容
C
ISS
C
RSS
C
OSS
输出 电容
反转 转移 电容
V
DS
=15v, V
GS
=0V
f =1.0mh
Z
804
P
F
328
P
F
P
F
79
切换 特性
c
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
V
DD
=25v,
I
D
=1a,
V
GS
=10v,
R
GEN
=6
16
24 ns
ns
ns
ns
7
14
47
60
10 15
总的 承担
门-源 承担
门-流 承担
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=15v, I
D
= 2a,
V
GS
=10V
20
24
nC
nC
nC
3
6
C
下降 时间
5-149
5
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