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资料编号:218176
 
资料名称:CEM8206
 
文件大小: 61.54K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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CEM8206
电的 特性 (t
一个
=25 C 除非 否则 指出)
参数
标识
情况
最小值
Typ
最大值
单位
特性
流-源 损坏 电压
BV
DSS
V
GS
=0v,I
D
=250
µ
一个
20
V
电压 电流
I
DSS
V
DS
= 20v, V
GS
=0V
1
µ
一个
门-身体 泄漏
I
GSS
V
GS
= 12v, V
DS
=0V
100
特性
b
门槛 电压
V
gs(th)
V
DS
=V
GS
,i
D
= 250
µ
一个
0.5
1.5
V
流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
V
GS
=4.5v,i
D
=6.0a
17
20
m
V
GS
= 2.5v, I
D
= 5.2a
23
30
m
在-状态 电流
I
d(在)
V
DS
=5v,v
GS
= 4.5v
10
167
一个
SForward 跨导
FS
g
V
DS
=10v, I
D
=6.0a
动态 特性
c
输入 电容
C
ISS
C
RSS
C
OSS
输出 电容
反转 转移 电容
V
DS
=8v, V
GS
=0V
f =1.0mh
Z
950
P
F
450
P
F
P
F
135
切换 特性
c
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
V
DD
=10v,
I
D
=1a,
V
GS
= 4.5v,
R
GEN
=6
20
40 ns
ns
ns
ns
20 40
72
130
20 40
总的 承担
门-源 承担
门-流 承担
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=10v, I
D
= 6a,
V
GS
=4.5v
15
20
nC
nC
nC
3.4
1.2
C
下降 时间
5-74
5
nA
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