113MT80KBS90_集成电路资料查询网

53-93-113mt..kb 序列
9
公告 i27503  08/97
www.irf.com
图. 16 - 热的 阻抗 z
thJC
特性
图. 17 - 门 特性
0.1
1
10
100
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
(b)
(一个)
rectangular 门 脉冲波
(4)
(3)
(2) (1)
(1) pgm = 100 w, tp = 500
µs
(2) pgm = 50 w, tp = 1 ms
(3) pgm = 20 w, tp = 25 ms
(4) pgm = 10 w, tp = 5 ms
instantaneous 门 电流 (一个)
instantaneous 门 电压 (v)
tj = -40
°C
TJ= 25 °C
TJ = 12 5 ° C
VGD
IGD
频率 限制 用 pg(av)
评估 di/dt:20 v, 30 ohms
tr = 0.5
µs, tp >= 6 µs
<= 30% 评估 di/dt: 20 v, 65 ohms
tr = 1 µs, tp >= 6 µs
一个) 推荐load line f 或者
b) 推荐 加载 line 为
53/ 93/ 113mt..kb 序列
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001 0.01 0.1 1 10
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (s)
thJC
Transient thermal 阻抗 z         (k/w)
每 接合面
53mt..kb series
113mt..kb 序列
93mt..kb 序列
稳步的 状态 值
r        = 1.07 k/w
r        = 0.86 k/w
r        = 0.70 k/w
(直流 运作)
thJC
thJC
thJC

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53-93-113mt..kb 序列 9 公告 i27503 08/97 www.irf.com 图. 16 - 热的阻抗 z thJC 特性图. 17 - 门特性 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 (b) (一个) rectangular 门脉冲波 (4) (3) (2) (1) (1) pgm = 100 w, tp = 500 µs (2) pgm = 50 w, tp = 1 ms (3) pgm = 20 w, tp = 25 ms (4) pgm = 10 w, tp = 5 ms instantaneous 门电流 (一个) instantaneous 门电压 (v) tj = -40 °C TJ= 25 °C TJ = 12 5 ° C VGD IGD 频率限制用 pg(av) 评估 di/dt:20 v, 30 ohms tr = 0.5 µs, tp >= 6 µs <= 30% 评估 di/dt: 20 v, 65 ohms tr = 1 µs, tp >= 6 µs 一个) 推荐load line f 或者 b) 推荐加载 line 为 53/ 93/ 113mt..kb 序列 0.001 0.01 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10 正方形的波脉冲波持续时间 (s) thJC Transient thermal 阻抗 z (k/w) 每接合面 53mt..kb series 113mt..kb 序列 93mt..kb 序列稳步的状态值 r = 1.07 k/w r = 0.86 k/w r = 0.70 k/w (直流运作) thJC thJC thJC

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