绝对 最大 比率
(便条 1)
它 是 预期 那 这个 设备 将 不 是 offered 在
一个 军队 qualified 版本.
如果 军队/太空 speci-
fied 设备 是 必需的, 请 联系 这 国家的
半导体 销售 办公室 / 分发 为 有效性
和 规格.
CMOS i/o 供应 电压
(v
DDIO
–V
SSIO
): 4.0v
SDI 供应 电压
(v
DDSI
–V
SSSI
): 4.0v
数字的 逻辑 供应 电压
(v
DDD
–V
SSD
): 3.0v
PLL 供应 电压
(v
DDPLL
–V
SSPLL
): 3.0v
CMOS 输入 电压
(vi):
V
SSIO
−0.15v 至
V
DDIO
+0.15v
CMOS 输出 电压
(vo):
V
SSIO
−0.15v 至
V
DDIO
+0.15v
CMOS 输入 电流 (单独的 输入):
Vi=V
SSIO
−0.15v: −5 毫安
Vi=V
DDIO
+0.15v: +5 毫安
CMOS 输出 源/下沉 电流:
±
6mA
I
BB
输出 电流: +300 µA
I
REF
输出 电流: +300 µA
SDI 输入 电压
(vi):
V
SSSI
−0.15v 至
V
DDSI
+0.15v
包装 热的 阻抗
θ
JA
@
0 LFM Airflow 40.1˚c/w
θ
JA
@
500 LFM Airflow 24.5˚c/w
θ
JC
5.23˚c/w
存储 温度 范围: −65˚C 至 +150˚C
接合面 温度: +150˚C
含铅的 温度 (焊接 4
秒): +260˚C
静电释放 比率 (hbm): 6.0 kV
静电释放 比率 (mm): 400 V
推荐 运行 情况
标识 参数 情况 涉及 最小值 典型值 最大值 单位
V
DDIO
CMOS i/o 供应 电压 V
DDIO
−V
SSIO
3.150 3.300 3.450 V
V
DDSD
SDI 供应 电压 V
DDSI
−V
SSSI
V
DDD
数字的 逻辑 供应
电压
V
DDD
–V
SSD
2.375 2.500 2.625 V
V
DDPLL
PLL 供应 电压 V
DDPLL
–V
SSPLL
T
一个
运行 自由 空气
温度
0 +70 ˚C
必需的 输入 情况
(便条 9)
标识 参数 情况 涉及 最小值 典型值 最大值 单位
V
在
输入 电压 范围
所有 LVCMOS
输入
V
SSIO
V
DDIO
V
t
r
,t
f
上升 时间, 下降 时间 10%–90% 1.0 1.5 3.0 ns
BR
SDI
串行 输入 数据 比率
SMPTE 259m, 水平的 C
sdi, SDI
270
M
BPS
SMPTE 259m, 水平的 D 360
SMPTE 344M 540
SMPTE 292M 1,483
SMPTE 292M 1,485
V
cm(sdi)
一般 模式 电压 V
在
= 125 mV
p-p
sdi, SDI
V
SSSI
+1.0v
V
DDSI
−0.05v
V
V
在(sdi)
SDI 串行 输入 电压,
单独的-结束
125 800 880 mV
p-p
V
在(sdi)
SDI 串行 输入 电压,
差别的
125 800 880 mV
p-p
t
r
,t
f
上升 时间, 下降 时间
20%–80%, SMPTE 259M
数据 比率
0.4 1.0 1.5 ns
20%–80%, SMPTE 292M
数据 比率
270 ps
CLC031A
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