绝对 最大 比率
(便条 1)
它 是 预期 那 这个 设备 将 不 是 offered 在
一个 军队 qualified 版本.
如果 军队/太空 speci-
fied 设备 是 必需的, 请 联系 这 国家的
半导体 销售 办公室 / 分发 为 有效性
和 规格.
CMOS i/o 供应 电压
(v
DDIO
–V
SSIO
): 4.0v
SDO 供应 电压
(v
DDSD
–V
SSSD
): 4.0v
数字的 逻辑 供应 电压
(v
DDD
–V
SSD
): 3.0v
PLL 供应 电压
(v
DDPLL
–V
SSPLL
): 3.0v
CMOS 输入 电压
(vi):
V
SSIO
−0.15v 至
V
DDIO
+0.15v
CMOS 输出 电压
(vo):
V
SSIO
−0.15v 至
V
DDIO
+0.15v
CMOS 输入 电流 (单独的 输入):
Vi=V
SSIO
−0.15v: −5 毫安
Vi=V
DDIO
+0.15v: +5 毫安
CMOS 输出 源/下沉 电流:
±
10 毫安
SDO 输出 下沉 电流: 40 毫安
包装 热的 阻抗
θ
JA
@
0 LFM Airflow 47˚c/w
θ
JA
@
500 LFM Airflow 27˚c/w
θ
JC
6.5˚c/w
存储 温度 范围: −65˚C 至 +150˚C
接合面 温度: +150˚C
含铅的 温度 (焊接 4 秒): +260˚C
静电释放 比率 (hbm): 2 kV
静电释放 比率 (mm): 250V
推荐 运行 情况
标识 参数 情况 涉及 最小值 典型值 最大值 单位
V
DDIO
CMOS i/o 供应
电压
V
DDIO
−V
SSIO
3.150 3.300 3.450 V
V
DDSD
SDO 供应 电压 V
DDSD
−V
SSSD
3.150 3.300 3.450 V
V
DDD
数字的 逻辑 供应
电压
V
DDD
–V
SSD
2.375 2.500 2.625 V
V
DDPLL
PLL 供应 电压 V
DDPLL
–V
SSPLL
2.375 2.500 2.625 V
V
IL
CMOS 输入 电压,
低 水平的
V
SSIO
V
V
IH
CMOS 输入 电压
高 水平的
V
DDIO
V
T
一个
运行 自由 空气
温度
0 +70 ˚C
t
JIT
Video 时钟 Jitter V
CLK
100 ps
p-p
直流 电的 特性
在 供应 电压 和 运行 温度 范围, 除非 否则 指定 (注释 2, 3).
标识 参数 情况 涉及 最小值 典型值 最大值 单位
V
IH
输入 电压 高 水平的 所有 LVCMOS
输入
2.0 V
DDIO
V
V
IL
输入 电压 低 水平的 V
SSIO
0.8 V
I
IH
输入 电流 高 水平的 V
IH
=V
DDIO
+90 +150 µA
I
IL
输入 电流 低 水平的 V
IL
=V
SSIO
−1 −20 µA
V
OH
CMOS 输出 电压
高 水平的
I
OH
= −6.6 毫安 所有 LVCMOS
输出
2.4 2.7 V
DDIO
V
V
OL
CMOS 输出 电压
低 水平的
I
OL
= +6.6 毫安
V
SSIO
V
SSIO
+0.3
V
SSIO
+0.5v
V
V
SDO
串行 驱动器 输出
电压
测试 电路, 测试 负载
将要 应用
sdo, SDO
720 800 880 mV
p-p
I
DD
(3.3v)
电源 供应 电流,
3.3v 供应, 总的
V
CLK
= 27 mhz, NTSC
Colour 柱状 模式, 测试
电路, 测试 负载 将要
应用
V
DDIO
,v
DDSD
48 65 毫安
I
DD
(3.3v)
电源 供应 电流,
3.3v 供应, 总的
V
CLK
= 74.25 mhz, NTSC
Colour 柱状 模式, 测试
电路, 测试 负载 将要
应用
V
DDIO
,v
DDSD
66 90 毫安
CLC030
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