绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
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供应 电压 4V
输出 电流 27 毫安
最大 接合面 温度 +125˚C
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度
(焊接 10 秒) +300˚C
静电释放 比率 (hbm)
≥
7kV
静电释放 比率 (mm)
≥
500V
包装 热的 阻抗
θ
JA
表面 挂载 AJE 125˚c/w
θ
JC
表面 挂载 AJE 105˚c/w
可靠性 信息
晶体管 计数 291
推荐 运行
情况
供应 电压 范围 (v
DD
-v
SS
) +3.0v 至 +3.6v
运行 自由 空气 温度 (t
一个
) -40˚c 至 +85˚C
R
BB
范围 (应用 至 V
BB
输入)
(便条 6) 1.3k
Ω
至 11.5k
Ω
电的 特性
在 推荐 运行 供应 和 温度 范围 除非 否则 指定 (注释 2 和 3)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输出 直流 规格
V
SDO
串行 驱动器 输出 电压 R
L
=75
Ω
1%,
R
REF
= 1.91 k
Ω
1% (为 800 mV
p-p
),
图示 1
720 800 880 mV
R
L
=75
Ω
1%,
R
REF
= 1.5 k
Ω
1% (为 1.0 V
p-p
),
图示 1
900 1000 1100 mV
输入 直流 规格
V
TH
差别的 输入 高 门槛 V
CM
= +0.05v 或者 +1.2v 或者 +3.25v, 0 +100 mV
V
TL
差别的 输入 低 门槛 V
DD
= 3.3v −100 0 mV
V
CMR
一般 模式 电压 范围 V
ID
= 100mv, V
DD
= 3.3v 0.05 3.25 V
I
在
输入 电流 V
在
= 0V 或者 +3.0v, V
DD
= 3.6v 或者 0V
±
1
±
10 µA
I
INB
输入 电流 Balance V
在
= 0V 或者 +3.0v, V
DD
= 3.6v 或者 0v,
(便条 8)
0.23 µA
供应 电流
I
DD
总的 动态 电源 供应 电流
(包含 加载 电流)
R
L
=75
Ω
,
R
REF
= 1.91 k
Ω
1%
(v
SDO
= 800 mV
p-p
@
270 mbps)
70 115 毫安
R
L
=75
Ω
,
R
REF
= 1.5 k
Ω
1%
(v
SDO
= 1.0 V
p-p
@
622 mbps)
85 130 毫安
MISCELLANEOUS 参数
L
GEN
输出 电感 6nH
R
GEN
输出 阻抗 25 k
Ω
I
BB
V
BB
电流 R
REF
= 1.91 k
Ω
1%, (便条 6) 250 µA
R
REF
= 1.5 k
Ω
1%, (便条 6) 315 µA
CLC001
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