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资料编号:226686
 
资料名称:CM100DU-24F
 
文件大小: 104.76K
   
说明
 
介绍:
Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 100 Amperes/1200 Volts
 
 


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cm100du-24f
trench 门 设计 双 igbtmod
100 amperes/1200 伏特
powerex, inc., 200 hillis 街道, youngwood, pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
绝对 最大 比率,
T
j
= 25
°
c 除非 否则 指定
比率 标识 cm100du-24f 单位
接合面 温度 T
j
-40 至 150
°
C
存储 温度 T
stg
-40 至 125
°
C
集电级-发射级 电压 (g-e 短的) V
CES
1200 伏特
门-发射级 电压 (c-e 短的) V
GES
±
20 伏特
集电级 电流 (t
c
= 25
°
c) I
C
100 Amperes
顶峰 集电级 电流 I
CM
200* Amperes
发射级 current** (t
c
= 25
°
c) I
E
100 Amperes
顶峰 发射级 current** I
EM
200* Amperes
最大 集电级 消耗 (t
c
= 25
°
c, t
j
150
°
c) P
c
500 Watts
挂载 torque, m5 主要的 终端
31 在-lb
挂载 torque, m6 挂载
40 在-lb
重量
310 Grams
分开 电压 (主要的 终端 至 baseplate, 交流 1 最小值.) V
iso
2500 伏特
静态的 电的 特性,
T
j
= 25
°
c 除非 否则 指定
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-截止 电流 I
CES
V
CE
= v
CES
, v
GE
= 0v
––
1mA
门 泄漏电流 i
GES
V
GE
= v
GES
, v
CE
= 0v
––
20
µ
一个
门-发射级 门槛 电压 V
ge(th)
I
C
= 10ma, v
CE
= 10v 5 6 7 伏特
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
= 100a, v
GE
= 15v, t
j
= 25
°
C
1.8 2.4 伏特
I
C
= 100a, v
GE
= 15v, t
j
= 125
°
C
1.9
伏特
总的 门 承担 Q
G
V
CC
= 600v, i
C
= 100a, v
GE
= 15v
1100
nC
发射级-集电级 voltage** V
EC
I
E
= 100a, v
GE
= 0v
––
3.2 伏特
* 脉冲波 宽度 和 repetition 比率 应当 是 此类 那 这 设备 接合面 温度 (t
j
) 做 不 超过 t
j(最大值)
比率.
** 代表 特性 的 这 反对-并行的, 发射级-至-集电级 自由-轮子 二极管 (fwdi).
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