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资料编号：226748
 
资料名称：CM200DU-12NFH
 
文件大小： 67.11K
   
说明：
 
介绍:
HIGH POWER SWITCHING USE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
二月.2004
mitsubishi igbt modules
cm200du-12nfh
高 电源 切换 使用
反转 恢复 特性
的 自由-轮子 二极管
(典型)
发射级 电流 i
E
(一个)
反转 恢复 时间 t
rr
(ns)
反转 恢复 电流 l
rr
(一个)
瞬时 热的
阻抗 特性
(igbt 部分 )
normalized 瞬时
热的 阻抗 z
th (j
–
c)
时间 (s)
瞬时 热的
阻抗 特性
(fwdi 部分)
normalized 瞬时
热的 阻抗 z
th (j
–
c)
时间 (s)
门 承担
特性
(典型)
门-发射级 电压 v
GE
(v)
门 承担 q
G
(nc)
10
1
10
2
23 57
10
3
23 57
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
t
rr
I
rr
情况:
V
CC
= 300v
V
GE
=
±
15V
R
G
= 6.3
Ω
T
j
= 25
°
C
inductive 加载
10
–
3
10
–
5
10
–
4
10
0
7
5
3
2
10
–
2
7
5
3
2
10
–
1
7
5
3
2
10
–
3
23 57 23 57 23 57 23 57
10
1
10
–
2
10
–
1
10
0
10
–
3
10
–
3
7
5
3
2
10
–
2
7
5
3
2
10
–
1
23 57 23 57
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
10
–
3
10
–
5
10
–
4
10
0
7
5
3
2
10
–
2
7
5
3
2
10
–
1
7
5
3
2
10
–
3
23 57 23 57 23 57 23 57
10
1
10
–
2
10
–
1
10
0
10
–
3
10
–
3
7
5
3
2
10
–
2
7
5
3
2
10
–
1
23 57 23 57
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
0
4
8
16
12
20
V
CC
= 300v
I
C
= 200a
0
200
800
1400 18001000
400
600
1200 1600
每 单位 根基 =
R
th(j
–
c)
= 0.21
°
c/W
每 单位 根基 =
R
th(j
–
c)
= 0.35
°
c/W
V
CC
= 200v
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