CM75DY-24H_集成电路资料查询网

sep.1998
mitsubishi igbt modules
cm75dy-24h
高 电源 切换 使用
insulated 类型
集电级-发射级 电压, v
CE
, (伏特)
集电级 电流, i
C
, (amperes)
输出 特性
(典型)
150
0246810
75
25
0
V
GE
= 20v
15
12
11
8
7
T
j
= 25
o
C
50
100
125
10
9
门-发射级 电压, v
GE
, (伏特)
集电级 电流, i
C
, (amperes)
转移 特性
(典型)
150
0 4 8 12 16 20
100
75
50
25
0
V
CE
= 10v
T
j
= 25°c
T
j
= 125°c
125
集电级-电流, i
C
, (amperes)
集电级-发射级
饱和 电压, v
ce(sat)
, (伏特)
集电级-发射级
饱和 电压 特性
(典型)
5
0 25 50 75 100 150
4
3
2
1
0
125
V
GE
= 15v
T
j
= 25°c
T
j
= 125°c
门-发射级 电压, v
GE
, (伏特)
集电级-发射级
饱和 电压, v
ce(sat)
, (伏特)
集电级-发射级
饱和 电压 特性
(典型)
10
0 4 8 12 16 20
8
6
4
2
0
T
j
= 25°c
I
C
= 30a
I
C
= 150a
I
C
= 75a
发射级-集电级 电压, v
EC
, (伏特)
自由-轮子 二极管
向前 特性
(典型)
发射级 电流, i
E
, (amperes)
集电级-发射级 电压, v
CE
, (伏特)
电容, c
ies
, c
oes
, c
res
, (nf)
电容 vs. v
CE
(典型)
10
-1
10
0
10
2
10
2
10
1
10
0
10
-1
V
GE
= 0v
10
1
C
ies
C
oes
C
res
发射级 电流, i
E
, (amperes)
反转 恢复 时间, t
rr
, (ns)
反转 恢复 特性
(典型)
10
3
10
0
10
1
10
2
10
2
10
1
t
rr
I
rr
di/dt = -150a/
µ
秒
T
j
= 25°c
10
1
10
0
反转 恢复 电流, i
rr
, (amperes)
10
2
门 承担, q
G
, (nc)
门-发射级 电压, v
GE
, (伏特)
门 承担, v
GE
20
0 100 200 300 400 500
16
12
8
4
0
V
CC
= 400v
600
V
CC
= 600v
I
C
= 75a
集电级 电流, i
C
, (amperes)
half-桥
切换 特性
(典型)
10
3
10
0
10
1
10
2
10
2
10
1
t
d(止)
t
d(在)
t
r
V
CC
= 600v
V
GE
= ±15v
R
G
= 4.2
Ω
T
j
= 125°c
t
f
切换 时间, (ns)
10
2
7
5
3
2
1.0 1.5 2.0
10
1
7
5
3
2.5 3.0 3.5
3
2
T
j
= 25°c

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sep.1998 mitsubishi igbt modules cm75dy-24h 高电源切换使用 insulated 类型集电级-发射级电压, v CE , (伏特) 集电级电流, i C , (amperes) 输出特性 (典型) 150 0246810 75 25 0 V GE = 20v 15 12 11 8 7 T j = 25 o C 50 100 125 10 9 门-发射级电压, v GE , (伏特) 集电级电流, i C , (amperes) 转移特性 (典型) 150 0 4 8 12 16 20 100 75 50 25 0 V CE = 10v T j = 25°c T j = 125°c 125 集电级-电流, i C , (amperes) 集电级-发射级饱和电压, v ce(sat) , (伏特) 集电级-发射级饱和电压特性 (典型) 5 0 25 50 75 100 150 4 3 2 1 0 125 V GE = 15v T j = 25°c T j = 125°c 门-发射级电压, v GE , (伏特) 集电级-发射级饱和电压, v ce(sat) , (伏特) 集电级-发射级饱和电压特性 (典型) 10 0 4 8 12 16 20 8 6 4 2 0 T j = 25°c I C = 30a I C = 150a I C = 75a 发射级-集电级电压, v EC , (伏特) 自由-轮子二极管向前特性 (典型) 发射级电流, i E , (amperes) 集电级-发射级电压, v CE , (伏特) 电容, c ies , c oes , c res , (nf) 电容 vs. v CE (典型) 10 -1 10 0 10 2 10 2 10 1 10 0 10 -1 V GE = 0v 10 1 C ies C oes C res 发射级电流, i E , (amperes) 反转恢复时间, t rr , (ns) 反转恢复特性 (典型) 10 3 10 0 10 1 10 2 10 2 10 1 t rr I rr di/dt = -150a/ µ 秒 T j = 25°c 10 1 10 0 反转恢复电流, i rr , (amperes) 10 2 门承担, q G , (nc) 门-发射级电压, v GE , (伏特) 门承担, v GE 20 0 100 200 300 400 500 16 12 8 4 0 V CC = 400v 600 V CC = 600v I C = 75a 集电级电流, i C , (amperes) half-桥切换特性 (典型) 10 3 10 0 10 1 10 2 10 2 10 1 t d(止) t d(在) t r V CC = 600v V GE = ±15v R G = 4.2 Ω T j = 125°c t f 切换时间, (ns) 10 2 7 5 3 2 1.0 1.5 2.0 10 1 7 5 3 2.5 3.0 3.5 3 2 T j = 25°c

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