二月. 2000
效能 曲线
输出 特性
(
典型
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
集电级-发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
转移 特性
(
典型
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
门-发射级 电压 v
GE
(
V
)
集电级-发射级
饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
1600
800
400
0
100
2
468
1200
1600
800
400
0
1200
200481216
0
5
4
3
1
2
0 400 800 1200 1600 0 20161284
10
8
6
4
2
0
集电级-发射级 饱和
电压 特性
(
典型
)
集电级-发射级
饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
门-发射级 电压 v
GE
(
V
)
集电级-发射级 饱和
电压 特性
(
典型
)
发射级 电流 i
E
(
一个
)
发射级-集电级 电压 v
EC
(
V
)
054321
10
2
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
7
5
3
2
10
1
自由-轮子 二极管
向前 特性
(
典型
)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 25
°
C
V
GE
= 13v
V
GE
= 11v
V
GE
= 12v
V
GE
= 10v
V
GE
= 9v
V
GE
= 8v
V
GE
= 7v
V
GE
= 14v
V
GE
= 15v
V
GE
= 20v
I
C
= 1600a
I
C
= 800a
I
C
= 320a
V
CE
= 10v
V
GE
= 15v
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
T
j
= 25
°
C
10
1
2310
–1
5710
0
23 5710
1
23 5710
2
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
7
5
3
2
10
0
电容 vs. v
CE
(
典型
)
电容 c
ies
, c
oes
, c
res
(
nF
)
集电级-发射级 电压 v
CE
(
V
)
C
ies
C
oes
C
res
V
GE
= 0v, t
j
= 25
°
C
C
ies,
C
oes
: f = 100khz
C
res
: f = 1mhz
mitsubishi hvigbt modules
cm800ha-34h
高 电源 切换 使用
insulated 类型
hvigbt (高 电压 insulated 门 双极 晶体管) modules