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数据 薄板
1 mbit 页-模式 可擦可编程只读存储器
sst29ee010 / sst29le010 / sst29ve010
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71061-07-000 6/01 304
表格 5: 直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
= 5.0v±10%
为
SST29EE010
标识 参数
限制
测试 情况最小值 最大值 单位
I
DD
电源 供应 电流 地址 输入=v
IL
/v
IH
, 在 f=1/t
RC
最小值,
V
DD
=V
DD
最大值
读 30 毫安 CE#=OE#=V
IL
, we#=v
IH
, 所有 i/os 打开
写 50 毫安 CE#=WE#=V
IL
, oe#=v
IH
, v
DD
=V
DD
最大值
I
SB1
备用物品 v
DD
电流
(ttl 输入)
3 毫安 CE#=OE#=WE#=V
IH
, v
DD
=V
DD
最大值
I
SB2
备用物品 v
DD
电流
(cmos 输入)
50 µA CE#=OE#=WE#=V
DD
-0.3v, v
DD
=V
DD
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 10 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
V
IL
输入 低 电压 0.8 V V
DD
=V
DD
最小值
V
IH
输入 高 电压 2.0 V V
DD
=V
DD
最大值
V
OL
输出 低 电压 0.4 V I
OL
=2.1 毫安, v
DD
=V
DD
最小值
V
OH
输出 高 电压 2.4 V I
OH
=-400 µa, v
DD
=V
DD
最小值
t5.3 304
表格 6: 直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
= 3.0-3.6v
为
SST29LE010
和
2.7-3.0v
为
SST29VE010
标识 参数
限制
测试 情况最小值 最大值 单位
I
DD
电源 供应 电流 地址 输入=v
IL
/v
IH
, 在 f=1/t
RC
最小值,
V
DD
=V
DD
最大值
读 12 毫安 CE#=OE#=V
IL
, we#=v
IH
, 所有 i/os 打开
写 15 毫安 CE#=WE#=V
IL
, oe#=v
IH
, v
DD
=V
DD
最大值
I
SB1
备用物品 v
DD
电流
(ttl 输入)
1 毫安 CE#=OE#=WE#=V
IH
, v
DD
=V
DD
最大值
I
SB2
备用物品 v
DD
电流
(cmos 输入)
15 µA CE#=OE#=WE#=V
DD
-0.3v, v
DD
=V
DD
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 10 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
V
IL
输入 低 电压 0.8 V V
DD
=V
DD
最小值
V
IH
输入 高 电压 2.0 V V
DD
=V
DD
最大值
V
OL
输出 低 电压 0.4 V I
OL
=100 µa, v
DD
=V
DD
最小值
V
OH
输出 高 电压 2.4 V I
OH
=-100 µa, v
DD
=V
DD
最小值
t6.3 304
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