8
初步的 规格
512 kbit / 1 mbit / 2 mbit / 4 mbit 小-sector flash
sst29sf512 / sst29sf010 / sst29sf020 / sst29sf040
sst29vf512 / sst29vf010 / sst29vf020 / sst29vf040
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71160-05-000 5/01 505
绝对 最大 压力 比率
(应用 情况 更好 比 那些 列表 下面
“
绝对 最大
压力 比率
”
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 情况 或者 情况 更好 比 那些 定义 在 这 运算的 sections 的 这个 数据
薄板 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 压力 比率 情况 将 影响 设备 可靠性.)
温度 下面 偏差 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . .-55
°
c 至 +125
°
C
存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . .-65
°
c 至 +150
°
C
d. c. 电压 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5v至 v
DD
+ 0.5v
瞬时 电压 (<20 ns) 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -1.0v 至 v
DD
+ 1.0v
电压 在 一个
9
管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5v至 13.2v
包装 电源 消耗 能力 (ta = 25
°
c). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0w
通过 支撑 含铅的 焊接 温度 (10 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . 300
°
C
输出 short 电路 电流
1
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50毫安
1. 输出 短接 为 非 更多 比 一个 第二. 非 更多 比 一个 输出 短接 在 一个 时间.
O
PERATING
R
ANGE
为
sst29sf512/010/020/040
范围 包围的 温度 V
DD
商业的 0
°
c 至 +70
°
C 5V±10%
工业的 -40
°
c 至 +85
°
C 5V±10%
O
PERATING
R
ANGE
为
sst29vf512/010/020/040
范围 包围的 温度 V
DD
商业的 0
°
c 至 +70
°
C 2.7-3.6v
工业的 -40
°
c 至 +85
°
C 2.7-3.6v
交流 c
ONDITIONS
的
T
EST
输入 上升/下降 时间 . . . . . . . . . . . . . . 5 ns
输出 加载 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . C
L
= 30 pf 为 55 ns
输出 加载 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . C
L
= 100 pf 为 70 ns
看 计算数量 13, 14, 和 15
表格 5: 直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
= 5.0v±10%
为
SST29SF
XXX
标识 参数
限制
测试 情况最小值 最大值 单位
I
DD
电源 供应 电流 地址 输入=v
IL
/v
IH
, 在 f=1/t
RC
最小值
V
DD
=V
DD
最大值
读 20 毫安 CE#=OE#=V
IL
, we#=v
IH
, 所有 i/os 打开
写 20 毫安 CE#=WE#=V
IL
, oe#=v
IH
I
SB1
备用物品 v
DD
电流 (ttl 输入) 3 毫安 CE#=V
IH
, v
DD
=V
DD
最大值
I
SB2
备用物品 v
DD
电流 (cmos 输入) 100 µA CE#=V
IHC
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 10 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
V
IL
输入 低 电压 0.8 V V
DD
=V
DD
最小值
V
IH
输入 高 电压 2.0 V V
DD
=V
DD
最大值
V
IHC
输入 高 电压 (cmos) V
DD
-0.3 V V
DD
=V
DD
最大值
V
OL
输出 低 电压 0.4 V I
OL
=2.1 µa, v
DD
=V
DD
最小值
V
OH
输出 高 电压 2.4 V I
OH
=-400 µa, v
DD
=V
DD
最小值
t5.3 505
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