8
数据 薄板
512 kbit / 1 mbit / 2 mbit / 4 mbit multi-目的 flash
sst39lf512 / sst39lf010 / sst39lf020 / sst39lf040
sst39vf512 / sst39vf010 / sst39vf020 / sst39vf040
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71150-03-000 6/01 395
表格 5: 直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
= 3.0-3.6v
为
sst39lf512/010/020/040
和
2.7-3.6v
为
sst39vf512/010/020/040
标识 参数
限制
测试 情况最小值 最大值 单位
I
DD
电源 供应 电流 地址 输入=v
IL
/v
IH
, 在 f=1/t
RC
最小值
V
DD
=V
DD
最大值
读 20 毫安 CE#=OE#=V
IL
, we#=v
IH
, 所有 i/os 打开
写 20 毫安 CE#=WE#=V
IL
, oe#=v
IH
I
SB
备用物品 v
DD
电流 15 µA CE#=V
IHC
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 10 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
V
IL
输入 低 电压 0.8 V V
DD
=V
DD
最小值
V
IH
输入 高 电压 0.7v
DD
VV
DD
=V
DD
最大值
V
IHC
输入 高 电压 (cmos) V
DD
-0.3 V V
DD
=V
DD
最大值
V
OL
输出 低 电压 0.2 V I
OL
=100 µa, v
DD
=V
DD
最小值
V
OH
输出 高 电压 V
DD
-0.2 V I
OH
=-100 µa, v
DD
=V
DD
最小值
t5.2 395
表格 6: R
ECOMMENDED
S
YSTEM
P
OWER
-
向上
T
IMINGS
标识 参数 最小 单位
T
pu-读
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
电源-向上 至 读 运作 100 µs
T
pu-写
1
电源-向上 至 程序/擦掉 运作 100 µs
t6.1 395
表格 7: C
APACITANCE
(ta = 25
°
c, f=1 mhz, 其它 管脚 打开)
参数 描述 测试 情况 最大
C
i/o
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
i/o 管脚 电容 V
i/o
= 0v 12 pf
C
在
1
输入 电容 V
在
= 0v 6 pf
t7.0 395
表格 8: R
ELIABILITY
C
HARACTERISTICS
标识 参数 最小 规格 单位 测试 方法
N
终止
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
忍耐力 10,000 循环 电子元件工业联合会 标准 a117
T
DR
1
数据 保持 100 年 电子元件工业联合会 标准 a103
I
LTH
1
获得 向上 100 + i
DD
毫安 电子元件工业联合会 标准 78
t8.2 395
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