数据 薄板
512 kbit / 1 mbit multi-目的 flash
sst39sf512 / sst39sf010
7
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71149-03-000 4/01 394
表格 4: S
OFTWARE
C
OMMAND
S
EQUENCE
Command
Sequence
1st 总线
写 循环
2nd 总线
写 循环
3rd 总线
写 循环
4th 总线
写 循环
5th 总线
写 循环
6th 总线
写 循环
地址
1
数据 地址
1
数据 地址
1
数据 地址
1
数据 地址
1
数据 地址
1
数据
字节-程序 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H A0H BA
2
数据
sector-擦掉 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 80H 5555H AAH 2AAAH 55H SA
X
3
30H
碎片-擦掉 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 80H 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 10H
软件 id entry
4,5
5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 90H
软件 id exit
6
XXH F0H
软件 id exit
6
5555H AAH 2AAAH 55H 5555H F0H
t4.3 394
1. 地址 format 一个
14
-一个
0
(十六进制), 地址 一个
15
能 是 v
IL
或者 v
IH
, 但是 非 其它 值, 为 这 command sequence 为 sst39sf512.
地址 一个
15
- 一个
16
能 是 v
IL
或者 v
IH
, 但是 非 其它 值, 为 这 command sequence 为
sst39sf010.
2. ba = 程序 字节 地址
3. SA
X
为 sector-擦掉; 使用 一个
MS
-一个
12
地址 线条
一个
MS
= 大多数 重大的 地址
一个
MS
= 一个
15
为 sst39sf512 和 一个
16
为 sst39sf010
4. 这 设备 做 不 仍然是 在 软件 产品 id 模式 如果 powered 向下.
5. 和 一个
MS
-一个
1
=0; sst 生产者
’
s id= bfh, 是 读 和 一个
0
= 0,
sst39lf/vf512 设备 id = b4h, 是 读 和 一个
0
= 1
sst39lf/vf010 设备 id = b5h, 是 读 和 一个
0
= 1
6. 两个都 软件 id exit 行动 是 相等的
绝对 最大 压力 比率
(应用 情况 更好 比 那些 列表 下面
“
绝对 最大
压力 比率
”
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 情况 或者 情况 更好 比 那些 定义 在 这 运算的 sections 的 这个 数据
薄板 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 压力 比率 情况 将 影响 设备 可靠性.)
温度 下面 偏差 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . .-55
°
c 至 +125
°
C
存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . .-65
°
c 至 +150
°
C
d. c. 电压 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5v至 v
DD
+ 0.5v
瞬时 电压 (<20 ns) 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -1.0v 至 v
DD
+ 1.0v
电压 在 一个
9
管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5v至 14.0v
包装 电源 消耗 能力 (ta = 25
°
c). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0w
通过 支撑 含铅的 焊接 温度 (10 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . 300
°
C
表面 挂载 含铅的 焊接 温度 (3 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . 240
°
C
输出 short 电路 电流
1
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .100 m一个
1. 输出 短接 为 非 更多 比 一个 第二. 非 更多 比 一个 输出 shorted 在 一个 时间.
O
PERATING
R
ANGE
范围 包围的 温度 V
DD
商业的 0
°
c 至 +70
°
c5.0v±10%
工业的 -40
°
c 至 +85
°
c5.0v±10%
交流 c
ONDITIONS
的
T
EST
输入 上升/下降 时间 . . . . . . . . . . . . . . 10 ns
输出 加载 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . C
L
= 30 pf 为 70 ns
输出 加载 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . C
L
= 100 pf 为 90 ns
看 计算数量 13 和 14
: 点此下载
