图. 7 ctr vs. rbe (saturated)
图. 8 normalized t
在
vs. r
是
图. 9 normalized t
止
vs. r
是
图. 10 切换 速 vs. 加载 电阻
R
是
- 根基 阻抗 (k
Ω)
10 100 1000
normalized ctr ( ctr
RBE
/ ctr
rbe(打开)
)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
F
= 20ma
I
F
= 10ma
I
F
= 5ma
V
CE
= 0.3v
R
是
- 根基 阻抗 (k
Ω
)
10 100 1000 10000 100000
normalized t
在
- (t
在(r
是
)
/ t
在(打开)
)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Ω
V
CC
= 10v
I
C
= 2ma
R
L
= 100
R
是
- 根基 阻抗 (k
Ω
)
10 100 1000 10000
normalized t
止
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
Ω
V
CC
= 10v
I
C
= 2ma
R
L
= 100
normalized 至 t
止
在 rbe = 打开
R
L
- 加载 电阻 (k
Ω
)
0.1 1 10 100
切换 速 - (
µ
s)
0.1
1
10
100
1000
V
CC
= 10v
I
C
= 2ma
R
L
= 100
Ω
T
止
T
f
T
在
T
r
图. 11 集电级-发射级 饱和 电压
作 一个 函数 的 集电级 电流
I
C
- (毫安)
0.01 0.1 1 10
V
CEsat
- (v)
0.001
0.01
0.1
1
10
I
B
= 0; t
一个
= 25
o
C
I
F
= 2.5ma
I
F
= 10ma
I
F
= 5ma
I
F
= 20ma
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6-管脚 phototransistor
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