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cny17-1, cny17-3, cny17-2, cny17-4 rev. 1.0.2
cny17-1, cny17-3, cny17-2, cny17-4 phototransistor optocouplers
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 specified.)
单独的 组件 特性
参数 标识 设备 值 单位
TOTal 设备
存储 温度 T
STG
所有 -55 至 +150 °C
运行 温度 T
OPR
所有 -55 至 +100 °C
含铅的 焊盘 温度 T
SOL
所有 260 为 10 秒 °C
总的 设备 电源 消耗 @ 25°c (led 加 探测器)
减额 成直线地 从 25°c
P
D
-m 250 mW
非 -m 260
-m 2.94 mw/°c
非 -m 3.50
发射级
持续的 向前 电流 I
F
-m 60 毫安
非 -m 90
反转 电压 V
R
所有 6 V
向前 电流 - 顶峰 (1 µs 脉冲波, 300 pps) I
F
(pk) -m 1.5 一个
非 -m 3.0
led 电源 消耗 25°c 包围的
减额 成直线地 从 25°c
P
D
-m 120 mW
非 -m 135
-m 1.41 mw/°c
非 -m 1.8
探测器
探测器 电源 消耗 @ 25°c
减额 成直线地 从 25°c
P
D
-m 150 mW
非 -m 200
-m 1.76 mw/°c
非 -m 2.67
参数 测试 情况 标识 设备 最小值 典型值 最大值 单位
发射级
输入 向前 电压 I
F
= 60 毫安 V
F
-m 1.35 1.65 V
I
F
= 10 毫安 非 -m 1.15 1.50
电容 V
F
= 0 v, f = 1.0 mhz C
J
非 -m 50 pF
-m 18
反转 泄漏 电流 V
R
= 6 v I
R
所有 0.001 10 µA
探测器
损坏 电压
集电级 至 发射级
集电级 至 根基
发射级 至 集电级
I
C
= 1.0 毫安, i
F
= 0
I
C
= 10 µa, i
F
= 0
I
E
= 100 µa, i
F
= 0
BV
CEO
BV
CBO
BV
ECO
所有
所有
所有
70
70
7
100
120
10
V
V
V
泄漏 电流
集电级 至 发射级
集电级 至 根基
V
CE
= 10 v, i
F
= 0
V
CB
= 10 v, i
F
= 0
I
CEO
I
CBO
所有
所有
150
20
nA
nA
电容
集电级 至 发射级
集电级 至 根基
发射级 至 根基
V
CE
= 0, f = 1 mhz
V
CB
= 0, f = 1 mhz
V
EB
= 0, f = 1 mhz
C
CE
C
CB
C
EB
所有
所有
所有
8
20
10
pF
pF
pF
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