CNY21N
telefunken 半导体
rev. a1,11-六月-96
2 (10)
特性
符合 至 vde 0884
D
评估 impulse 电压 (瞬时 超（电）压)
V
IOTM
= 8 kv 顶峰
D
分开 测试 电压 (partial 释放 测试 电压)
V
pd
= 2.8 kv 顶峰
D
评估 分开 电压 (rms 包含 直流)
V
IOWM
= 1000 v
RMS
(1450 v 顶峰)
D
评估 recurring 顶峰 电压 (repetitive)
V
IORM
= 1000 v
RMS
D
creeping 电流 阻抗 符合 至
vde 0303/iec 112
C
omparative
T
racking
I
ndex:
CTI
= 275
D
厚度 通过 绝缘 > 3 mm
D
分开 材料 符合 至 ul 94
D
pollution 程度 2 (din/vde 0110)
D
climatic 分类 55/085/21 (iec 68 部分 1)
D
更远 approvals: bs 415, bs 7002, seti: iec 950,
ul 1577: 文件 非: e 76222
D
特定的 构建: 因此 extra 低 连接
capacity 的 典型 0.3 pf, 高
C
ommon
M
ode
R
ejection
D
低 温度 系数 的 ctr
D
C
urrent
T
ransfer
R
atio (ctr) 的 典型 60%
绝对 最大 比率
输入 (发射级)
参数 测试 情况 标识 值 单位
反转 电压 V
R
5 V
向前 电流 I
F
50 毫安
向前 surge 电流 t
p
≤
10
m
s I
FSM
1.5 一个
电源 消耗 T
amb
≤
25
°
C P
tot
120 mW
接合面 温度 T
j
100
°
C
输出 (探测器)
参数 测试 情况 标识 值 单位
集电级 发射级 电压 V
CEO
32 V
发射级 集电级 电压 V
ECO
5 V
集电级 电流 I
C
50 毫安
集电级 顶峰 电流 t
p
/t = 0.5, t
p
≤
10 ms I
CM
100 毫安
电源 消耗 T
amb
≤
25
°
C P
tot
130 mW
接合面 温度 T
j
100
°
C
Coupler
参数 测试 情况 标识 值 单位
交流 分开 测试 电压 (rms) V
IO
8.2 kV
总的 电源 消耗 T
amb
≤
25
°
C P
tot
250 mW
包围的 温度 范围 T
amb
–55 至 +85
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–55 至 +100
°
C
焊接 温度 2 mm 从 情况 t
≤
10 s T
sd
260
°
C
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