CNY17F-2X007_集成电路资料查询网

CNY17F
文档 号码 83607
rev. 1.5, 26-oct-04
vishay 半导体
www.vishay.com
7
图示 15. 饱和 电压 vs. 集电级 电流 和 调制
depth cny17f-4
图示 16. 容许的 脉冲波 加载
图示 17. 容许的 电源 dissipation 为 晶体管 和 二极管
icny17f_15
V
CEsat
=f(i
C
)(t
一个
= 25°c)
V
icny17f_16
d=参数,
T
一个
= 25°c, I
F
=f(t
p
)
icny17f_17
P
tot
=f(t
一个
)
图示 18. 容许的向前 电流 二极管
图示 19. 晶体管 电容
icny17f_18
I
F
=f(t
一个
)
icny17f_19
C=f (v
O
)(t
一个
= 25°c, f=1.0 mhz)

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CNY17F 文档号码 83607 rev. 1.5, 26-oct-04 vishay 半导体 www.vishay.com 7 图示 15. 饱和电压 vs. 集电级电流和调制 depth cny17f-4 图示 16. 容许的脉冲波加载图示 17. 容许的电源 dissipation 为晶体管和二极管 icny17f_15 V CEsat =f(i C )(t 一个 = 25°c) V icny17f_16 d=参数, T 一个 = 25°c, I F =f(t p ) icny17f_17 P tot =f(t 一个 ) 图示 18. 容许的向前电流二极管图示 19. 晶体管电容 icny17f_18 I F =f(t 一个 ) icny17f_19 C=f (v O )(t 一个 = 25°c, f=1.0 mhz)

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