参数 测试 情况 标识 设备 最小值 典型值 最大值 单位
发射级
I
F
= 60 毫安 -m 1.35 1.65
V
输入 向前 电压 I
F
= 10 毫安
V
F
非 -m 1.15 1.50
电容 V
F
= 0 v, f = 1.0 mhz C
J
非 -m
50
pF
-m
18
反转 泄漏 电流 V
R
= 6 v
I
R
所有 0.001 10 µA
探测器
损坏 电压
集电级 至 发射级
I
C
= 1.0 毫安, i
F
= 0 BV
CEO
所有 70
100
V
集电级 至 根基 I
C
= 10
µ
一个, i
F
= 0 BV
CBO
所有 70 120 V
发射级 至 集电级 I
E
= 100
µ
一个, i
F
= 0 BV
ECO
所有 7 10 V
泄漏 电流
集电级 至 发射级
V
CE
= 10 v, i
F
= 0 I
CEO
所有 1 50 nA
集电级 至 根基
V
CB
= 10 v, i
F
= 0 I
CBO
所有 20
nA
电容
pF
集电级 至 发射级
V
CE
= 0, f = 1 mhz C
CE
所有 8
集电级 至 根基
V
CB
= 0, f = 1 mhz
C
CB
所有 20
pF
发射级 至 根基
V
EB
= 0, f = 1 mhz
C
EB
所有 10 pF
单独的 组件 特性
电的 特性
(t
一个
= 25
°C
除非 否则 指定.)
www.fairchildsemi.com 2 的 11 6/06/01 DS300208
phototransistor optocouplers
cny17-1 cny17-3
cny17-2 cny17-4
典型的 测试 情况 标识 设备 最小值 Typ** 最大值 单位
输入-输出 分开 电压
f = 60 hz, t = 1 最小值 V
ISO
黑色 包装
5300 vac(rms)*
‘-m’ 白 包装
7500 vac(pk)
分开 阻抗 V
i-o
= 500 vdc R
ISO
所有 10
11
!
分开 电容 V
i-o
=
"
, f = 1 mhz C
ISO
黑色 包装
0.5
pF
‘-m’ 白 包装
0.2
分开 特性
便条
* 5300 vac(rms) 为 1 分钟 equates 至 大概 9000 vac (pk) 为 1 第二
** 典型 值 在 t
一个
= 25°c
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