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直流 特性 测试 情况 标识 设备 最小值 典型值 最大值 单位
cny17-1/-1-m 40 80
电流 转移 比率,
I
F
= 10 毫安, v
CE
= 5 v CTR
cny17-2/-2-m 63 125
%
集电级 至 发射级 cny17-3/-3-m 100 200
cny17-4 160 320
饱和 电压
I
F
= 10 毫安, i
C
= 2.5 毫安
V
ce(sat)
所有 .40 V
交流 特性 测试 情况 标识 设备 最小值 典型值 最大值 单位
非-saturated 切换 时间
转变-在 时间 (图.19 和 图.20)
R
L
= 100
Ω
, i
C
= 2 毫安, v
CC
= 10 v
t
在
非 -m 10
µ
s
转变-止 时间 (图.19 和 图.20) R
L
= 100
Ω
, i
C
= 2 毫安, v
CC
= 10 v
t
止
非 -m 10
µ
s
延迟 时间 (图.19 和 图.20)
I
F
= 10 毫安, v
CC
= 5 v,
R
L
= 75
Ω
t
d
-m 5.6
µ
s
上升 时间 (图.19 和 图.20)
I
F
= 10 毫安, v
CC
= 5 v,
R
L
= 75
Ω
t
r
-m 4.0
µ
s
存储 时间 (图.19 和 图.20)
I
F
= 10 毫安, v
CC
= 5 v,
R
L
= 75
Ω
t
s
-m 4.1
µ
s
下降 时间 (图.19 和 图.20)
I
F
= 10 毫安, v
CC
= 5 v,
R
L
= 75
Ω
t
f
-m 3.5
µ
s
saturated 切换 时间
I
F
= 20 毫安, v
CE
= 0.4 v
cny17-1 5.5
转变-在 时间 (图.19 和 图.20)
I
F
= 10 毫安, v
CE
= 0.4 v
t
在
cny17-2, cny17-3,
8.0
µ
s
cny17-4
I
F
= 20 毫安, v
CE
= 0.4 v
cny17-1 4.0
I
F
= 10 毫安, v
CE
= 0.4 v
cny17-2, cny17-3,
6.0
上升-时间 (图.19 和 图.20)
cny17-4
µ
s
I
F
= 20 毫安, v
CC
= 5 v,
R
L
= 1 k
Ω
t
r
cny17-1-m 4.0
I
F
= 10 毫安, v
CC
= 5 v, r
L
= 1 k
Ω
cny17-2-m,cny17-3-m
6.0
延迟 时间 (图.19 和 图.20)
I
F
= 20 毫安, v
CC
= 5 v,
R
L
=1 k
Ω
t
d
cny17-1-m
5.5
µ
s
I
F
= 10 毫安, v
CC
= 5 v,
R
L
=1 k
Ω
cny17-2, cny17-3
8.0
I
F
= 20 毫安, v
CE
= 0.4 v
cny17-1 34.0
转变-止 时间 (图.19 和 图.20)
I
F
= 10 毫安, v
CE
= 0.4 v
t
止
cny17-2, cny17-3,
39.0
µ
s
cny17-4
I
F
= 20 毫安, v
CE
= 0.4 v
cny17-1 20.0
I
F
= 10 毫安, v
CE
= 0.4 v
cny17-2, cny17-3,
24.0
下降-时间
(图.19 和 图.20)
t
f
cny17-4
µ
s
I
F
= 20 毫安, v
CC
= 5 v,
R
L
=1 k
Ω
cny17-1-m 20.0
I
F
= 10 毫安, v
CC
= 5 v, r
L
= 1 k
Ω
cny17-2-m,cny17-3-m
24.0
存储 时间 (图.19 和 图.20)
I
F
= 20 毫安, v
CC
= 5 v,
R
L
=1 k
Ω
t
s
cny17-1-m
34.0
µ
s
I
F
= 10 毫安, v
CC
= 5 v,
R
L
=1 k
Ω
cny17-2-m,cny17-3-m
39.0
转移 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指定.)
phototransistor optocouplers
cny17-1     cny17-3
cny17-2     cny17-4
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直流特性测试情况标识设备最小值典型值最大值单位 cny17-1/-1-m 40 80 电流转移比率, I F = 10 毫安, v CE = 5 v CTR cny17-2/-2-m 63 125 % 集电级至发射级 cny17-3/-3-m 100 200 cny17-4 160 320 饱和电压 I F = 10 毫安, i C = 2.5 毫安 V ce(sat) 所有 .40 V 交流特性测试情况标识设备最小值典型值最大值单位非-saturated 切换时间转变-在时间 (图.19 和图.20) R L = 100 Ω , i C = 2 毫安, v CC = 10 v t 在非 -m 10 µ s 转变-止时间 (图.19 和图.20) R L = 100 Ω , i C = 2 毫安, v CC = 10 v t 止非 -m 10 µ s 延迟时间 (图.19 和图.20) I F = 10 毫安, v CC = 5 v, R L = 75 Ω t d -m 5.6 µ s 上升时间 (图.19 和图.20) I F = 10 毫安, v CC = 5 v, R L = 75 Ω t r -m 4.0 µ s 存储时间 (图.19 和图.20) I F = 10 毫安, v CC = 5 v, R L = 75 Ω t s -m 4.1 µ s 下降时间 (图.19 和图.20) I F = 10 毫安, v CC = 5 v, R L = 75 Ω t f -m 3.5 µ s saturated 切换时间 I F = 20 毫安, v CE = 0.4 v cny17-1 5.5 转变-在时间 (图.19 和图.20) I F = 10 毫安, v CE = 0.4 v t 在 cny17-2, cny17-3, 8.0 µ s cny17-4 I F = 20 毫安, v CE = 0.4 v cny17-1 4.0 I F = 10 毫安, v CE = 0.4 v cny17-2, cny17-3, 6.0 上升-时间 (图.19 和图.20) cny17-4 µ s I F = 20 毫安, v CC = 5 v, R L = 1 k Ω t r cny17-1-m 4.0 I F = 10 毫安, v CC = 5 v, r L = 1 k Ω cny17-2-m,cny17-3-m 6.0 延迟时间 (图.19 和图.20) I F = 20 毫安, v CC = 5 v, R L =1 k Ω t d cny17-1-m 5.5 µ s I F = 10 毫安, v CC = 5 v, R L =1 k Ω cny17-2, cny17-3 8.0 I F = 20 毫安, v CE = 0.4 v cny17-1 34.0 转变-止时间 (图.19 和图.20) I F = 10 毫安, v CE = 0.4 v t 止 cny17-2, cny17-3, 39.0 µ s cny17-4 I F = 20 毫安, v CE = 0.4 v cny17-1 20.0 I F = 10 毫安, v CE = 0.4 v cny17-2, cny17-3, 24.0 下降-时间 (图.19 和图.20) t f cny17-4 µ s I F = 20 毫安, v CC = 5 v, R L =1 k Ω cny17-1-m 20.0 I F = 10 毫安, v CC = 5 v, r L = 1 k Ω cny17-2-m,cny17-3-m 24.0 存储时间 (图.19 和图.20) I F = 20 毫安, v CC = 5 v, R L =1 k Ω t s cny17-1-m 34.0 µ s I F = 10 毫安, v CC = 5 v, R L =1 k Ω cny17-2-m,cny17-3-m 39.0 转移特性 (t 一个 = 25°c 除非否则指定.) phototransistor optocouplers cny17-1 cny17-3 cny17-2 cny17-4 DS300208 6/06/01 3 的 11 www.fairchildsemi.com

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