4-265
telcom 半导体, 公司
7
6
5
4
3
1
2
8
逻辑-输入 cmos
四方形 驱动器
TC4467
TC4468
TC4469
最大 运行 温度:
T
J
–
θ
JA
(p
D
) = 141
°
c,
在哪里: T
J
= 最大 容许的 接合面 温度
(+150
°
c)
θ
JA
= 接合面-至-包围的 热的 阻抗
(83.3
°
c/w) 14-管脚 塑料 包装.
便条:
包围的 运行 温度 应当 不 超过 +85
°
c 为
"ejd" 设备 或者 +125
°
c 为 "mjd" 设备.
图示 1. 切换 时间 测试 电路
V
输出
1B
1A
2B
2A
3B
3A
4B
4A
1 µf 影片
0.1 µf 陶瓷的
V
DD
470 pf
90%
10%
10%
10%
t
D1
t
R
t
D2
t
F
90%
+5V
输入
(一个, b)
V
DD
输出
0V
0V
90%
1
2
3
4
5
6
8
9
7
10
11
12
13
14
输入: 100 khz, 正方形的 波,
t
上升
= t
下降
≤
10nsec
转变 电源 消耗 arises 在 这
complementary 配置 (tc446x) 因为 这
输出 平台 n-频道 和 p-频道 mos 晶体管
是 在 同时发生地 为 一个 非常 短的 时期 当 这
输出 改变. 这 转变 电源 消耗 是
大概:
P
T
= f v
S
(10
10
–9
).
包装 电源 消耗 是 这 总 的 加载, quies-
cent 和 转变 电源 dissipations. 一个 例子 显示
这 相关的 巨大 为 各自 期:
C = 1000 pf 电容的 加载
V
S
= 15v
D = 50%
f = 200 khz
P
D
= 包装 电源 消耗 = p
L
+ p
Q
+ p
T
= 45 mw + 35 mw + 30 mw = 110 mw.