TC4469COE_集成电路资料查询网

4-266
telcom 半导体, 公司
逻辑-输入 cmos
四方形 驱动器
TC4467
TC4468
TC4469
典型 特性
140
120
100
80
60
40
20
0
3 5 7 9 11 13 15 17
19
V (v)
供应
2200 pf
1600 pf
1000 pf
470 pf
100 pf
t (nsec)
(上升)
上升 时间 vs. 供应 电压
140
120
100
80
60
40
20
0
3 5 7 9 11 13 15 17
19
V (v)
供应
t             (nsec)
(下降)
100 pf
470 pf
1000 pf
1500 pf
2200 pf
下降 时间 vs. 供应 电压
140
120
100
80
60
40
20
0
100 1000
10,000
C (pf)
加载
t (nsec)
(上升)
10V
15V
5V
上升 时间 vs. 电容的 加载
140
120
100
80
60
40
20
0
100 1000
10,000
C (pf)
加载
t             (nsec)
(下降)
5V
10V
15V
下降 时间 vs. 电容的 加载
0
–50
温度 (
°
c)
时间 (nsec)
5
10
15
20
25
–25 0 25 50 75 100 125
t
v               = 17.5v
c           = 470 pf
t
供应
加载
(下降)
(上升)
上升/下降 时间 vs. 温度
0
4
延迟 时间 (nsec)
20
40
60
80
812141618610
V (v)
供应
t
c           = 470 pf
加载
D1
传播 延迟 时间 vs. 供应 电压
t
D2

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4-266 telcom 半导体, 公司逻辑-输入 cmos 四方形驱动器 TC4467 TC4468 TC4469 典型特性 140 120 100 80 60 40 20 0 3 5 7 9 11 13 15 17 19 V (v) 供应 2200 pf 1600 pf 1000 pf 470 pf 100 pf t (nsec) (上升) 上升时间 vs. 供应电压 140 120 100 80 60 40 20 0 3 5 7 9 11 13 15 17 19 V (v) 供应 t (nsec) (下降) 100 pf 470 pf 1000 pf 1500 pf 2200 pf 下降时间 vs. 供应电压 140 120 100 80 60 40 20 0 100 1000 10,000 C (pf) 加载 t (nsec) (上升) 10V 15V 5V 上升时间 vs. 电容的加载 140 120 100 80 60 40 20 0 100 1000 10,000 C (pf) 加载 t (nsec) (下降) 5V 10V 15V 下降时间 vs. 电容的加载 0 –50 温度 ( ° c) 时间 (nsec) 5 10 15 20 25 –25 0 25 50 75 100 125 t v = 17.5v c = 470 pf t 供应加载 (下降) (上升) 上升/下降时间 vs. 温度 0 4 延迟时间 (nsec) 20 40 60 80 812141618610 V (v) 供应 t c = 470 pf 加载 D1 传播延迟时间 vs. 供应电压 t D2

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