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© 1998 硅 存储 技术, 公司 326-10 12/98
2 megabit multi-目的 flash
SST39SF020
初步的 规格
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
交流 特性
T
能
9: r
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
V
CC
= 4.5-5.5v
sst39sf020-70 sst39sf020-90
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
T
RC
读 循环 时间 70 90 ns
T
CE
碎片 使能 进入 时间 70 90 ns
T
AA
地址 进入 时间 70 90 ns
T
OE
输出 使能 进入 时间 35 45 ns
T
CLZ
(1)
ce# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
OLZ
(1)
oe# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
CHZ
(1)
ce# 高 至 高-z 输出 15 20 ns
T
OHZ
(1)
oe# 高 至 高-z 输出 15 20 ns
T
OH
(1)
输出 支撑 从 地址 改变 0 0 ns
326 pgm t9.2
T
能
10: p
ROGRAM
/e
RASE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
标识 参数 最小值 最大值 单位
T
BP
字节 程序 时间 30 µs
T
作
地址 建制 时间 0 ns
T
AH
地址 支撑 时间 30 ns
T
CS
we# 和 ce# 建制 时间 0 ns
T
CH
we# 和 ce# 支撑 时间 0 ns
T
OES
oe# 高 建制 时间 0 ns
T
OEH
oe# 高 支撑 时间 0 ns
T
CP
ce# 脉冲波 宽度 40 ns
T
WP
we# 脉冲波 宽度 40 ns
T
wph (1)
we# 脉冲波 宽度 高 30 ns
T
cph (1)
ce# 脉冲波 宽度 高 30 ns
T
DS
数据 建制 时间 30 ns
T
dh (1)
数据 支撑 时间 0 ns
T
ida (1)
软件 id 进入 和 exit 时间 150 ns
T
SE
sector 擦掉 10 ms
T
SCE
碎片 擦掉 20 ms
便条:
(1)
这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 这 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 参数.
326 pgm t10.4
便条: c
L
= 100 pf 为 90 ns, c
L
= 30 pf 为 70 ns
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