二月.1999
mitsubishi 半导体
〈
THYRISTOR
〉
CR8AM
中等 电源 使用
非-insulated 类型, glass passivation 类型
50
35
15
10
5
40
45
30
20
25
0
200
4 1014181626812
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5.0
3.5
1.5
1.0
0.5
4.0
4.5
3.0
2.0
2.5
0
1000
20 50 70 908010 30 40 60
#
V
D
= 100v
R
L
= 12
Ω
T
一个
= 25°c
典型
例子
I
GT
(25°c)
# 5.2ma
160
120
60
40
20
140
100
80
0
160–40
0 40 80 120140–20 20 60 100
典型 例子
10
2
2310
–1
5710
0
23 5710
1
23 5710
2
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
7
5
3
2
10
1
0.1s
tw
典型 例子
80
60
30
20
10
70
50
40
0
1600
40 80 120 14020 60 100
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I
T
= 8a, –di/dt = 5a/µs,
V
D
= 300v, dv/dt = 20v/µs
V
R
= 50v
典型
例子
分发
16060–20–40 0 20 40 80 100120140
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
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典型 例子
分发
支持 电流 vs.
接合面 温度
支持 电流 (毫安)
接合面 温度 (°c)
门 触发 电流 vs.
门 电流 脉冲波 宽度
门 电流 脉冲波 宽度 (µs)
100 (%)
门 触发 电流
(
tw
)
门 触发 电流
(
直流
)
repetitive 顶峰 反转 电压 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (°c)
转变-在 时间 vs. 门 电流
转变-在 时间 (µs)
门 电流 (毫安)
支持 电流 vs.
门 触发 电流
支持 电流 (毫安)
门 触发 电流 (毫安)
转变-止 时间 vs.
接合面 温度
转变-止 时间 (µs)
接合面 温度 (°c)
100 (%)
repetitive 顶峰 反转 电压 (t
j
= t°C
)
repetitive 顶峰 反转 电压 (t
j
= 25°C
)
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