8.0 电的 特性
(持续)
直流 电的 特性 (−40˚c
≤
T
一个
≤
+85˚c)
(持续)
数据手册 最小值/最大值 规格 限制 是 有保证的 用 设计, 测试, 或者 statistical 分析.
参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输出 电流 水平
D 输出
源 V
CC
= 4.5v, V
OH
= 3.8v −7 毫安
V
CC
= 2.7v, V
OH
= 1.8v −4 毫安
下沉 (便条 7) V
CC
= 4.5v, V
OL
= 1.0v 10 毫安
V
CC
= 2.7v, V
OL
= 0.4v 3.5 毫安
所有 其他
源 (弱 拉-向上 模式) V
CC
= 4.5v, V
OH
= 3.8v −10 µA
V
CC
= 2.7v, V
OH
= 1.8v −5 µA
源 (推-拉 模式) V
CC
= 4.5v, V
OH
= 3.8v −7 毫安
V
CC
= 2.7v, V
OH
= 1.8v −4 毫安
下沉 (推-拉 模式) (便条 7) V
CC
= 4.5v, V
OL
= 1.0v 10 毫安
V
CC
= 2.7v, V
OL
= 0.4v 3.5 毫安
触发-状态 泄漏 V
CC
= 5.5v −0.5 +0.5 µA
容许的 下沉 电流 每 管脚 15 毫安
最大 输入 电流 没有 Latchup (便条
5)
±
200 毫安
内存 保持 电压, V
R
(在 HALT 模式) 2.0 V
输入 电容 7pF
加载 电容 在 D2 1000 pF
电压 在 G6 至 强迫 执行 从 激励
只读存储器 (便条 8)
G6 上升 时间 必须 是 slower
比 100 nS
2xV
CC
V
CC
+7 V
G6 上升 时间 至 强迫 执行 从 激励
只读存储器
100 nS
输入 电流 在 G6 当 输入
>
V
CC
V
在
= 11v, V
CC
= 5.5v 500 µA
Flash 记忆 数据 保持 25˚C 100 yrs
Flash 记忆 号码 的 擦掉/写 循环 看
表格 13
,
典型 Flash
记忆 忍耐力
10
5
循环
交流 电的 特性 (−40˚c
≤
T
一个
≤
+85˚c)
数据手册 最小值/最大值 规格 限制 是 有保证的 用 设计, 测试, 或者 statistical 分析.
参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
操作指南 循环 时间 (t
C
)
结晶/共振器 4.5v
≤
V
CC
≤
5.5v 0.5 直流 µs
2.7v
≤
V
CC
<
4.5v 1.5 直流 µs
Flash 记忆 页 擦掉 时间 看
表格 13
,
典型
Flash 记忆
忍耐力
1ms
Flash 记忆 Mass 擦掉 时间 8 ms
频率 的 microwire/加 在
从动装置 模式
2 MHz
microwire/加 建制 时间 (t
UWS
)20ns
microwire/加 支撑 时间 (t
UWH
)20ns
microwire/加 输出 传播
延迟 (t
UPD
)
150 ns
输入 脉冲波 宽度
中断 输入 高 时间 1 t
C
中断 输入 低 时间 1 t
C
cop8sbr9/cop8scr9/cop8sdr9
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