MICRF007 Micrel
MICRF007 4 12月 2000
电的 特性
V
DDRF
= v
DDBB
= v
DD
在哪里 +4.75v
≤
V
DD
≤
5.5v, v
SS
= 0v; c
AGC
= 4.7
µ
f, c
TH
= 0.047
µ
f; f
REFOSC
= 4.90mhz; t
一个
= 25
°
c,
bold
值 表明
–
40
°
C
≤
T
一个
≤
+85
°
c; 电流 流动 在 设备 管脚 是 积极的; 除非 指出.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
运算
运行 电流 持续的 运作 3
5.5
毫安
10:1 职责 循环 300
µ
一个
I
STBY
备用物品 电流 V
SHUT
= v
DD
0.5
µ
一个
rf 部分, 如果 部分
接受者 敏锐的
注释 4, 6
–
96
–
90 dBm
f
如果
如果 中心 频率
便条 7
0.86 MHz
f
BW
如果 3db 带宽
注释 6, 7 400
0.43 kHz
f
ANT
rf 输入 范围
300 440
MHz
receive 调制 职责-循环
20 80
%
最大 接受者 输入 R
SC
= 50
Ω
–
20
dBm
spurious 反转 分开 ant 管脚, r
SC
= 50
Ω
,
便条 5
1
µ
电压有效值
agc attack 至 decay 比率 t
ATTACK
÷
t
DECAY
0.1
agc 泄漏 电流 T
一个
= +85
°
C 100 nA
涉及 振荡器
涉及 振荡器 至 1% 的 最终 值 2.5 3.1 ms
stabilization 时间
Z
REFOSC
涉及 振荡器 290 k
Ω
输入 阻抗
涉及 振荡器 输入 范围 0.1 1.5 V
p-p
涉及 振荡器 源 电流 4.5 5.2
µ
一个
2.8
Demodulator
Z
CTH
cth 源 阻抗
便条 8
110 k
Ω
∆
Z
CTH
cth 源 阻抗 变化
–
15 +15
%
I
zcth(leak)
cth 泄漏 电流 T
一个
= +85
°
C
±
100 nA
demodulator 过滤 带宽 V
SEL0
= v
SEL1
= v
SWEN
= v
DD
,
注释 7, 9
4160 Hz
demodulator 过滤 带宽 V
SEL0
= v
SEL1
= v
DD
, v
SWEN
= v
SS
, 8320 Hz
注释 5, 7, 9
绝对 最大 比率
(便条 1)
供应 电压 (v
DDRF
, v
DDBB
) ....................................+7V
输入/输出 电压 (v
i/o
) ................. V
SS
–
0.3 至 v
DD
+0.3
接合面 温度 (t
J
) ...................................... +150
°
C
存储 温度 范围 (t
S
) ............
–
65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒.) ................... +260
°
C
静电释放 比率,
便条 3
运行 比率
(便条 2)
供应 电压 (v
DD
, v
DDBB
).................... +4.75v 至 +5.5v
包围的 温度 (t
一个
) .........................
–
40
°
c 至 +85
°
C
包装 热的 阻抗 (
θ
JA
)
16-管脚 插件 (
θ
JA
) ................................................... 90
°
c/w
16-管脚 soic (
θ
JA
) .............................................. 120
°
c/w
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