CS5212
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2
C16
0.1
µ
F
门(h)
BST
LGND
V
FFB
V
FB
竞赛
SGND
PGND
门(l)
V
C
IS+
IS–
V
CC
R
OSC
CS5212
U1
GN2
地
R8
10
C2
0.1
µ
F
TP4
竞赛
TP5
BST
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
C11
0.1
µ
F
R1
51 k
C1
0.47
µ
F
R9
10
C19
1.0
µ
F
Q2
Q1
TP3
门(l)
TP2
门(h)
TP1
SWNODE
V
在
3.3 v
D5
BAT54S
+ + +
C6 C7 C8 100
µ
f/10 v
×
3
R5
4.7 k
R13
10
C15
470 pf
L1
2.9
µ
H
6.5 mr
ETQP6F2R9LB
V
输出
地
C3
0.1
µ
F
R6
4.7 k
R2
10
TP6
SENSE+
TP7
SENSE–
R4
1.0 k 1%
C5
680 pf
R3
1.5 k 1%
R7
TBD*
D6
BAT54S
D2
BAT54S
C4
0.1
µ
F
C22
0.1
µ
F
*refer 至 rpullup 值 选择 部分 为 值 需要.
+
C9
+
C10
100
µ
f/10V
×
2
+
C20
+
C21
图示 1. 应用 图解, 3.3 v 至 1.5 v/8.0 一个 转换器 和 差别的 偏远的 sense
最大 ratings*
比率 值 单位
运行 接合面 温度, t
J
150
°
C
含铅的 温度 焊接: 软熔焊接: (smd 样式 仅有的) (便条 1) 230 顶峰
°
C
存储 温度 范围, t
S
–65 至 +150
°
C
包装 热的 阻抗:
junction–to–case, r
θ
JC
junction–to–ambient, r
θ
JA
30
125
°
c/w
°
c/w
静电释放 susceptibility:
人 身体 模型
机器 模型
2.0
200
kV
V
电子元件工业联合会 潮气 敏锐的 1 –
1. 60 第二 最大 在之上 183
°
c.
*the 最大 包装 电源 消耗 必须 是 observed.
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