CS5155
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图示 16: cs5155 demonstration 板 在 电源 向上. 电源 好的
信号 是 使活动 当 输出 电压 reaches 1.70v.
selecting 外部 组件
这 cs5155 能 是 使用 和 一个 宽 范围 的 外部
电源 组件 至 优化 这 费用 和 效能 的
一个 particular 设计. 这 下列的 信息 能 是 使用
作 一般 指导原则 至 assist 在 它们的 选择.
nfet 电源 晶体管
两个都 逻辑 水平的 和 标准 mosfets 能 是 使用. 这
涉及 设计 derive 门 驱动 从 这 12v 供应
这个 是 一般地 有 在 大多数 计算机 系统 和
utilize 逻辑 水平的 mosfets. 一个 承担 打气 将 是 容易地
执行 至 支持 5v 仅有的 系统. 多样的
mosfets 将 是 paralleled 至 减少 losses 和 改进
效率 和 热的 管理.
电压 应用 至 这 场效应晶体管 门 取决于 在 这
应用 电路 使用. 两个都 upper 和 更小的 门 驱动器
输出 是 指定 至 驱动 至 在里面 1.5v 的 地面
当 在 这 低 状态 和 至 在里面 2v 的 它们的 各自的
偏差 供应 当 在 这 高 状态. 在 实践, 这 mos-
场效应晶体管 门 将 是 驱动 栏杆 至 栏杆 预定的 至 越过 造成
用 这 电容的 加载 它们 呈现 至 这 控制 ic. 为
这 典型 应用 在哪里 v
CC1
= v
CC2
= 12v 和 5v 是
使用 作 这 源 为 这 调整器 输出 电流, 这 fol-
lowing 门 驱动 是 提供;
V
门(h)
= 12v - 5v = 7v, v
门(l)
= 12v (看 图示 17).
图示 17: cs5155 门 驱动 波形 depicting 栏杆 至 栏杆 摆动.
这 大多数 重要的 aspect 的 场效应晶体管 效能 是
RDS
在
, 这个 影响 调整器 效率 和 场效应晶体管
热的 管理 (所需的)东西.
这 电源 dissipated 用 这 mosfets 将 是 estimated
作 跟随;
切换 场效应晶体管:
电源 = i
加载
2
´
RDS
在
´
职责 循环
同步的 场效应晶体管:
电源 = i
加载
2
´
RDSON
´
(1 - 职责 循环)
职责 循环 =
止 时间 电容 (c
止
)
这 c
止
定时 电容 sets 这 调整器 止 时间:
T
止
= c
止
´
4848.5
当 这 v
FFB
管脚 是 较少 比 1v, 这 电流 charging 这
C
止
电容 是 减少. 这 扩展 止 时间 能 是 cal-
culated 作 跟随:
T
止
= c
止
´
24,242.5.
止 时间 将 是 决定 用 也 这 t
止
时间, 或者 这
时间 输出 计时器, whichever 是 变长.
这 preceding equations 为 职责 循环 能 也 是 使用 至
计算 这 调整器 切换 频率 和 选择 这
V
输出
+ (i
加载
´
RDS
在 的 synch 场效应晶体管
)
V
在
+ (i
加载
´
RDS
在 的 synch 场效应晶体管
) - (i
加载
´
RDS
在 的 转变 场效应晶体管
)
查出 3 = v
门(h)
(10v/div.)
math 1= v
门(h)
- 5v
在
查出 4 = v
门(l)
(10v/div.)
查出 2 = inductor 切换 node (5v/div.)
查出 3 = 12v 输入 (v
CC1
) 和 v
CC2
) (10v/div.)
查出 4 = 5v 输入 (2v/div.)
查出 1 = 调整器 输出 电压 (1v/div.)
查出 2 = 电源 好的 信号 (2v/div.)
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