二月.1999
V
(br) ces
I
GES
I
CES
V
ge(th)
V
ce(sat)
C
ies
C
oes
C
res
t
d (在)
t
r
t
d (止)
t
f
R
th (j-c)
mitsubishi insulated 门 双极 晶体管
ct30sm-12
一般 反相器 • ups 使用
600
—
—
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
V
µ
一个
毫安
V
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
°
c/w
—
—
—
6.0
2.5
1480
180
54
30
135
135
250
—
—
±
0.5
1
7.5
3.0
—
—
—
—
—
—
—
0.50
I
C
= 1ma, v
GE
= 0v
V
GE
=
±
30v, v
CE
= 0v
V
CE
= 600v, v
GE
= 0v
I
C
= 3.0ma, v
CE
= 10v
I
C
= 30a, v
GE
= 15v
V
CE
= 25v, v
GE
= 0v, f = 1mhz
V
CC
= 300v, 阻抗 加载,
I
C
= 30a, v
GE
= 15v, r
GE
= 20
Ω
接合面 至 情况
0
2
4
6
8
10
0 4 8 12 16 20
I
C
= 60a
10A
30A
T
j
= 25°c
0
10
20
30
40
50
0246810
T
j
= 25°c
V
GE
= 20v
15V
12V
10V
11V
8V
9V
输出 特性
(典型)
集电级-发射级 电压 v
CE
(v)
集电级 电流 i
C
(一个)
集电级-发射级 饱和
电压 特性
(典型)
门-发射级 电压 v
GE
(v)
集电级-发射级
饱和 电压 v
ce(sat)
(v)
电的 特性
(tj = 25
°
c)
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
集电级-发射级 损坏 电压
集电级-发射级 泄漏 电流
门-发射级 泄漏 电流
门-发射级 门槛 电压
集电级-发射级 饱和 电压
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
下降 时间
热的 阻抗
效能 曲线
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