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资料编号:237166
 
资料名称:M5M51008CVP-70H
 
文件大小: 87.62K
   
说明
 
介绍:
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
mitsubishi lsis
m5m51008cp,fp,vp,rv,kv,kr -55h, -70h,
-55x, -70x
1048576-位(131072-文字 用 8-位)cmos 静态的 内存
MITSUBISHI
ELECTRIC
nc : 非 连接
描述
特性
类型 名字
进入
时间
(最大值)
起作用的
(最大值)
保卫-用
(最大值)
电源 供应 电流
这 m5m51008cp,fp,vp,rv,kv,kr 是 一个 1048576-位 cmos
静态的 内存 有组织的 作 131072 文字 用 8-位 这个 是
fabricated 使用 高-效能 quadruple-polysilicon 和
翻倍 metal cmos 技术. 这 使用 的 薄的 影片 晶体管
(tft) 加载 cells 和 cmos periphery 结果 在 一个 高 密度 和
低 电源 静态的 内存.
它们 是 低 备用物品 电流 和 低 运作 电流 和 完美的
为 这 电池 后面的-向上 应用.
这 m5m51008cvp,rv,kv,kr 是 packaged 在 一个 32-管脚 薄的
小 外形 包装 这个 是 一个 高 可靠性 和 高 密度
表面 挂载 设备(smd). 二 类型 的 设备 是 有.
m5m51008cvp,kv(正常的 含铅的 bend 类型 包装),
类型 的 设备, 它 变为 非常 容易 至 设计 一个 打印 电路
板.
包装
应用
小 capacity 记忆 单位
低 保卫-用 电流 0.1µa (典型值.)
直接地 ttl 兼容 : 所有 输入 和 输出
容易 记忆 expansion 和 电源 向下 用 s1,s2
数据 支撑 在 +2v 电源 供应
三-状态 输出 : 或者 - 系 能力
oe 阻止 数据 contention 在 这 i/o 总线
一般 数据 i/o
m5m51008cp,fp,vp,rv,kv,kr-55h
8µA
55ns
15mA
70ns
55ns
20µA
(1mhz)
M5M51008CP
············
32pin 600mil 插件
M5M51008CFP
············
32pin 525mil sop
m5m51008cvp,rv
············
32pin 8 x 20 mm tsop
m5m51008ckv,kr
············
32pin 8 x 13.4 mm tsop
1
m5m51008cp,fp,vp,rv,kv,kr-70h
m5m51008cp,fp,vp,rv,kv,kr-55x
2
2
16
15
14
13
1
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
管脚 配置 (顶 视图)
NC
一个16
一个14
一个12
一个7
一个6
一个5
一个4
一个3
一个2
一个1
一个0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
一个15
S2
W
一个13
一个8
一个9
一个11
OE
一个10
S1
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
一个11
一个9
一个8
一个13
W
S2
一个15
VCC
NC
一个16
一个14
一个12
一个7
一个6
一个5
一个4
OE
一个10
S1
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
一个0
一个1
一个2
一个3
一个4
一个5
一个6
一个7
一个11
一个2
一个0
OE
一个1
一个3
1
2
3
4
5
6
7
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32
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17
1
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17
18
19
20
32
m5m51008cvp,kv
一个14
一个16
NC
VCC
一个15
S2
W
一个13
一个8
一个9
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
S1
一个10
一个12
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31
外形 32p4(p), 32p2m-一个(fp)
外形 32p3h-e(vp), 32p3k-b(kv)
地址
输入
碎片 选择
输入
写 控制
输入
地址
输入
输出 使能
输入
地址
输入
碎片 选择
输入
数据
输入/
输出
地址
输入
数据
输入/
输出
m5m51008crv,kr
外形 32p3h-f(rv), 32p3k-c(kr)
70ns
m5m51008cp,fp,vp,rv,kv,kr-70x
(vcc=5.5v)
(1mhz)
(vcc=5.5v)
0.1µa
(vcc=3.0v 典型值)
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