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资料编号:238413
 
资料名称:BC847CWT1
 
文件大小: 185.37K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors(NPN Silicon)
 
 


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bc846awt1,bwt1 bc847awt1,bwt1,cwt1 bc848awt1,bwt1,cwt1
2
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出) (持续)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
在 特性
直流 电流 增益 bc846a, bc847a, bc848a
(i
C
= 10
µ
一个, v
CE
= 5.0 v) bc846b, bc847b, bc848b
bc847c, bc848c
(i
C
= 2.0 毫安, v
CE
= 5.0 v) bc846a, bc847a, bc848a
bc846b, bc847b, bc848b
bc847c, bc848c
h
FE
110
200
420
90
150
270
180
290
520
220
450
800
集电级发射级 饱和 电压 (i
C
= 10 毫安, i
B
= 0.5 毫安)
集电级发射级 饱和 电压(i
C
= 100 毫安, i
B
= 5.0 毫安)
V
ce(sat)
0.25
0.6
V
根基 发射级 饱和 电压 (i
C
= 10 毫安, i
B
= 0.5 毫安)
根基 发射级 饱和 电压(i
C
= 100 毫安, i
B
= 5.0 毫安)
V
是(sat)
0.7
0.9
V
根基 发射级 电压 (i
C
= 2.0 毫安, v
CE
= 5.0 v)
根基 发射级 电压(i
C
= 10 毫安, v
CE
= 5.0 v)
V
是(在)
580
660
700
770
mV
SMALL–信号 特性
电流 增益 — 带宽 产品
(i
C
= 10 毫安, v
CE
= 5.0 vdc, f = 100 mhz)
f
T
100 MHz
输出 电容 (v
CB
= 10 v, f = 1.0 mhz) C
obo
4.5 pF
噪音 图示 (i
C
= 0.2 毫安, bc846a, bc847a, bc848a
V
CE
= 5.0 vdc, r
S
= 2.0 k
, bc846b, bc847b, bc848b
f = 1.0 khz, bw = 200 hz) bc847c, bc848c
NF
10
4.0
dB
图示 1. normalized 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (madc)
2.0
图示 2. “saturation” 和 “on” 电压
I
C
, 集电级 电流 (madc)
0.2 0.5 1.0 10 20
50
0.2
100
图示 3. 集电级 饱和 区域
I
B
, 根基 电流 (毫安)
图示 4. base–emitter 温度 系数
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
2.0 5.0
200
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.5
0
0.2
0.4
0.1
0.3
1.6
1.2
2.0
2.8
2.4
1.2
1.6
2.0
0.02 1.0
10
0
20
0.1
0.4
0.8
h
FE
, normalized 直流 电流 增益
v, 电压 (伏特)
V
CE
, collector–emitter 电压 (v)
VB
, 温度 系数 (mv/ c)
°
θ
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2 0.5 1.0 10 20
50
2.0
10070
307.05.03.00.70.30.1
0.2 1.0
10 100
T
一个
= 25
°
C
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
是(在)
@ v
CE
= 10 v
V
CE
= 10 v
T
一个
= 25
°
C
–55
°
c 至 +125
°
CT
一个
= 25
°
C
I
C
= 50 毫安 I
C
= 100 毫安
I
C
= 200 毫安
I
C
=
20 毫安
I
C
=
10 毫安
1.0
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