128k x 16 静态的 内存
cy62136v mobl™
Cypress 半导体 公司
• 3901 北 第一 街道 • San Jose • ca 95134 • 408-943-2600
文档 #: 38-05087 rev. ** 修订 九月 5, 2000
特性
•
低 电压 范围:
—
cy62136v: 2.7v-3.6v
•
过激-低 起作用的, 备用物品 电源
•
容易 记忆 expansion 和 ce
和 oe特性
•
ttl-兼容 输入 和 输出
•
自动 电源-向下 当 deselected
•
cmos 为 最佳的 速/电源
函数的 描述
这 cy62136v 是 一个 高-效能 cmos 静态的 内存 或者-
ganized 作 131,072 words 用 16 位. 这个 设备 特性 ad-
vanced 电路 设计 至 提供 过激-低 起作用的 电流. 这个
是 完美的 为 供应 更多 电池 生命
™
(mobl
™
) 在 可携带的
产品 此类 作 cellular telephones. 这 设备 也 有
一个 自动 电源-向下 特性 那 significantly 减少
电源 消耗量 用 99% 当 地址 是 不 toggling.
这 设备 能 也 是 放 在 备用物品 模式 当 deselect-
ed (ce
高). 这 输入/输出 管脚 (i/o
0
通过 i/o
15
) 是
放置 在 一个 高-阻抗 状态 当: deselected (ce
高), 输出 是 无能 (oe高), bhe和 ble是
无能 (bhe
, ble高), 或者 在 一个 写 运作 (ce
低, 和 我们低).
writing 至 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片 使能
(ce
) 和 写 使能 (我们) 输入 低. 如果 字节 低 使能
(ble
) 是 低, 然后 数据 从 i/o 管脚 (i/o
0
通过 i/o
7
), 是
写 在 这 location 指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
通过 一个
16
). 如果 字节 高 使能 (bhe) 是 低, 然后 数据
从 i/o 管脚 (i/o
8
通过 i/o
15
) 是 写 在 这 location
指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
通过 一个
16
).
读 从 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片 en-
能 (ce
) 和 输出 使能 (oe) 低 当 forcing 这 写
使能 (我们
) 高. 如果 字节 低 使能 (ble) 是 低, 然后
数据 从 这 记忆 location 指定 用 这 地址 管脚
将 呈现 在 i/o
0
至 i/o
7
. 如果 字节 高 使能 (bhe) 是 低,
然后 数据 从 记忆 将 呈现 在 i/o
8
至 i/o
15
. 看 这
真实 表格 在 这 后面的 的 这个 数据 薄板 为 一个 完全 de-
scription 的 读 和 写 模式.
这 cy62136v 是 有 在 48-球 fbga 和 标准
44-管脚 tsop 类型 ii (向前 引脚) 包装.
mobl 和 更多 电池 生命 是 商标 的 cypress 半导体 公司.
逻辑 块 图解
管脚 配置
我们
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
14
31
32
36
35
34
33
37
40
39
38
顶 视图
12
13
41
44
43
42
16
15
29
30
V
CC
一个
16
一个
15
一个
14
一个
13
NC
一个
4
一个
3
OE
V
SS
一个
5
i/o
15
一个
2
CE
i/o
2
i/o
0
i/o
1
BHE
NC
一个
1
一个
0
18
17
20
19
i/o
3
27
28
25
26
22
21
23
24
V
SS
i/o
6
i/o
4
i/o
5
i/o
7
一个
6
一个
7
BLE
V
CC
i/o
14
i/o
13
i/o
12
i/o
11
i/o
10
i/o
9
i/o
8
一个
8
一个
9
一个
10
一个
11
tsop ii (向前)
128k x 16
内存 排列
i/o
0
–
i/o
7
行 解码器
一个
9
一个
7
一个
6
一个
3
一个
0
column 解码器
一个
11
一个
12
一个
13
一个
14
一个
15
1024 x 2048
sense 放大器
数据 在 驱动器
OE
一个
2
一个
1
i/o
8
–
i/o
15
CE
我们
BLE
BHE
一个
10
一个
16
一个
12
一个
5
一个
4
一个
8
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