sn65hvd05, sn65hvd06, sn65hvd07
sn75hvd05, sn75hvd06, sn75hvd07
SLLS533B
–
将 2002
–
修订 将 2003
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2
这些 设备 有 限制 建造-在 静电释放 保护. 这 leads 应当 是 短接 一起 或者 这 设备 放置 在 传导性的 foam 在
存储 或者 处理 至 阻止 静电的 损坏 至 这 mos 门.
订货 信息
(1)
marked 作
SIGNALING
比率
单位
加载
驱动器
输出 斜度
控制
T
一个
部分 号码
(2)
塑料
双-在-线条
包装
(pdip)
小 外形
ic (soic)
包装
40 mbps 1/2 非 SN65HVD05D SN65HVD05P 65HVD05 VP05
10 mbps 1/8 Yes
–
40
°
c 至 85
°
C
SN65HVD06D SN65HVD06P 65HVD06 VP06
1 mbps 1/8 Yes
40 c 至 85 C
SN65HVD07D SN65HVD07P 65HVD07 VP07
40 mbps 1/2 非 SN75HVD05D SN75HVD05P 75HVD05 VN05
10 mbps 1/8 Yes
–
0
°
c 至 70
°
C
SN75HVD06D SN75HVD06P 75HVD06 VN06
1 mbps 1/8 Yes
0 c 至 70 C
SN75HVD07D SN75HVD07P 75HVD07 VN07
(1)
为 这 大多数 电流 规格 和 包装 信息, 谈及 至 我们的 网 站点 在 www.德州仪器.com.
(2)
这 d 包装 是 有 带子系紧 和 卷盘. 增加 一个 r 后缀 至 这 设备 类型 (i.e., sn65hvd05dr).
包装 消耗 比率 (看 图示 12 和 图示 13)
包装
T
一个
≤
25
°
C
电源 比率
减额 因素
(1)
在之上 t
一个
= 25
°
C
T
一个
= 70
°
C
电源 比率
T
一个
= 85
°
c 电源
比率
D
(2)
710 mw 5.7 mw/
°
C 455 mw 369 mw
D
(3)
1282 mw 10.3 mw/
°
C 821 mw 667 mw
P 1000 mw 8.0 mw/
°
C 640 mw 520 mw
(1)
这个 是 这 inverse 的 这 接合面-至-包围的 热的 阻抗 当 板-挂载 和 和 非 空气 流动.
(2)
测试 在 一致 和 这 低-k 热的 metric 定义 的 eia/jesd51-3
(3)
测试 在 一致 和 这 高-k 热的 metric 定义 的 eia/jesd51-7
绝对 最大 比率
在 运行 自由-空气 温度 范围 除非 否则 指出
(1)
(2)
sn65hvd05, sn65hvd06, sn65hvd07
sn75hvd05, sn75hvd06, sn75hvd07
供应 电压 范围, v
CC
–
0.3 v 至 6 v
电压 范围 在 一个 或者 b
–
9 v 至 14 v
输入 电压 范围 在 d, de, r 或者 re
–
0.5 v 至 v
CC
+ 0.5 v
电压 输入 范围, 瞬时 脉冲波, 一个 和 b, 通过 100
Ω
(看 图示 11)
–
50 v 至 50 v
人 身体 模型
(3)
一个, b, 和 地 16 kv
静电的 释放
人 身体 模型
(3)
所有 管脚 4 kv
静电的 释放
charged-设备 模型
(4)
所有 管脚 1 kv
持续的 总的 电源 消耗 看 消耗 比率 表格
存储 温度 范围, t
stg
–
65
°
c 至 150
°
C
含铅的 温度 1,6 mm (1/16 inch) 从 情况 为 10 秒 260
°
C
(1)
压力 在之外 那些 列表 下面
“
绝对 最大 比率
”
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的, 和
函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之外 那些 表明 下面
“
推荐 运行 情况
”
是 不
暗指. 暴露 至 绝对-最大-评估 情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
(2)
所有 电压 值, 除了 差别的 i/o 总线 电压, 是 和 遵守 至 网络 地面 终端.
(3)
测试 在 一致 和 电子元件工业联合会 标准 22, 测试 方法 a114-一个.
(4)
测试 在 一致 和 电子元件工业联合会 标准 22, 测试 方法 c101.
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