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资料编号:243845
 
资料名称:D13007
 
文件大小: 310.84K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon Power Transistor
 
 


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kst-h035-000
2
STD13007F
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
典型的 标识 比率 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
700 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
400 V
发射级-根基 电压 V
EBO
9 V
集电级 电流 (直流) I
C
8 一个
集电级 电流 (脉冲波) I
CM
16 一个
根基 电流 (直流) I
B
4 一个
集电级 电源 消耗 (tc=25
)
P
C
40 w
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
-55~150
°
C
电的 特性
(ta=25
°
c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-发射级 sustaining 电压 BV
ceo(sus)
I
C
=10ma, i
B
=0 400 - - v
发射级 截-止 电流 I
EBO
V
EB
=9v, i
C
=0 - - 1 毫安
I
C
=2a, v
CE
=5v 8 - 60
直流 电流 增益 h
FE
*
I
C
=5a, v
CE
=5v 5 - 30
I
C
=2a, i
B
=0.4a - - 1
I
C
=5a, i
B
=1a - - 2
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
*
I
C
=8a, i
B
=2a - - 3
V
I
C
=2a, i
B
=0.4a - - 1.2
根基-发射级 饱和 电压 V
是(sat)
*
I
C
=5a, i
B
=1a - - 1.6
V
转变 频率 f
T
V
CE
=10v, i
C
=0.5a, f=1mhz - 14 - MHz
输出 电容 C
ob
V
CB
=10v, i
E
=0, f=0.1mhz - 80 -
TurnonTime t
- - 1.6
存储 时间 t
stg
- - 3
下降 时间 t
f
V
CC
=125v, i
C
=5A
I
B1
=-i
B2
=1A
- - 0.7
* 脉冲波 测试: pw
300
, 职责 循环
2%.
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