D2012UK
prelim. 12/00
Semelab plc.
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P
D
电源 消耗
BV
DSS
流 – 源 损坏 电压
BV
GSS
门 – 源 损坏 电压
I
d(sat)
流 电流
T
stg
存储 温度
T
j
最大 运行 接合面 温度
42W
65V
±20V
4A
–65 至 150°C
200°C
机械的 数据
G
K
M
J
I
E
D
(2 pls)
C
N
(典型值)
一个
B
F
(2 pls)
H
1
2
3
金 METALLISED
multi-目的 硅
DMOS RF 场效应晶体管
10W – 28V – 1GHz
单独的 结束
特性
• SIMPLIFIED 放大器 设计
• 合适的 为 BROAD 带宽 产品
•LOWC
rss
• 简单的 偏差 电路
• 低 噪音
•HIGHGAIN–10dBMINIMUM
DP
管脚 1 源 管脚 2 流
管脚 3 门
绝对 最大 比率
(t
情况
= 25°C 除非 否则 陈述)
产品
•
vhf/uhf COMMUNICATIONS
从 50 MHz 至 2 GHz
METAL 门 RF 硅 场效应晶体管
TetraFET
DIM mm tol. 英寸 tol.
一个 16.51 0.25 0.650 0.010
B 6.35 0.13 0.250 0.005
C 45° 5° 45° 5°
D 3.30 0.13 0.130 0.005
E 18.92 0.08 0.745 0.003
F 1.52 0.13 0.060 0.005
G 2.16 0.13 0.085 0.005
H 14.22 0.08 0.560 0.003
I 1.52 0.13 0.060 0.005
J 6.35 0.13 0.250 0.005
K 0.13 0.03 0.005 0.001
M 5.08 0.51 0.200 0.020
N 1.27 x 45° 0.13 0.050 x 45° 0.005
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