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资料编号:247386
 
资料名称:NTHD4P02FT1G
 
文件大小: 74.64K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET and Schottky Diode
 
 


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NTHD4P02F
http://onsemi.com
5
典型 肖特基 效能 曲线
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
10
0.20
V
F
, instantaneous 向前 电压 (伏特)
I
F
, instantaneous 向前
电流 (放大器)
1
0.1
图示 12. 典型 向前 电压 图示 13. 最大 向前 电压
10
1E−6
100E−9
10E−9
图示 14. 典型 反转 电流
V
R
, 反转 电压 (伏特)
I
r,
反转 电流 (放大器)
图示 15. 最大 反转 电流
25
3
2
2.5
1
0
65 125105
图示 16. 电流 减额
T
L
, 含铅的 温度 (
°
c)
T
J
= 150
°
C
1E−3
T
J
= 25
°
C
85 165
freq = 20 khz
I
o,
平均 向前 电流 (放大器)
3.5
20
01
0
3.53
图示 17. 向前 电源 消耗
I
O
, 平均 向前 电流 (放大器)
2
P
FO
, 平均 电源 消耗 (watts)
0.2
1.8
0.40
0.5 1.5 2.5
0.60 0.80
0
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
10
0.20
V
F
, 最大 instantaneous 向前
电压 (伏特)
I
F
, instantaneous 向前
电流 (放大器)
1
0.1
T
J
= 150
°
C
0.40 0.60 0.80
T
J
= 25
°
C
10E−6
T
J
= 100
°
C
T
J
= 150
°
C
10
V
R
, 反转 电压 (伏特)
200
I
r,
最大 反转 电流 (放大器)
1.5
0.5
45 145
ipk/io = 20
ipk/io = 10
ipk/io = 5
ipk/io =
正方形的 波
直流
1
1.6
0.4
0.6
0.8
ipk/io = 20
ipk/io = 10
ipk/io = 5
ipk/io =
正方形的 波 直流
1.4
1.2
100E−6
10E−3
1E−3
100E−6
10E+0
T
J
= 25
°
C
100E−3
T
J
= 100
°
C
T
J
= 150
°
C
1E+0
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