DA108S1_集成电路资料查询网

标识 参数 值 单位
V
RRM
Repetitive顶峰 反转 电压(为一个 单独的 二极管) 18 V
I
PP
Repetitive顶峰 向前 电流 * 8/20
µ
s12 一个
P 电源 消耗 0.73 W
Tstg
Tj
存储温度 范围
最大 运行 接合面 温度
- 55 至 + 150
150
°
C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接 在 10s. 260
°
C
* 这 surge 是 重复的 之后 这 设备 returns 至 包围的 温度
绝对 最大 比率
(t
amb
=25
°
C
)
标识 参数 值 单位
R
th (j-一个)
接合面 至 包围的 170
°
c/w
热的 抵制
标识 参数 最大值 单位
V
FP
顶峰 向前 电压 I
PP
= 12a, 8/20
µ
s DA108S1
DA112S1
9
12
V
V
F
向前 电压 I
F
= 50 毫安 1.2 V
I
R
反转 泄漏 电流 V
R
= 15V 2
µ
一个
电的 特性
(t
amb
=25
°
c)

DA108S1 / DA112S1
2/5

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标识参数值单位 V RRM Repetitive顶峰反转电压(为一个单独的二极管) 18 V I PP Repetitive顶峰向前电流 * 8/20 µ s12 一个 P 电源消耗 0.73 W Tstg Tj 存储温度范围最大运行接合面温度 - 55 至 + 150 150 ° C T L 最大含铅的温度为焊接在 10s. 260 ° C * 这 surge 是重复的之后这设备 returns 至包围的温度绝对最大比率 (t amb =25 ° C ) 标识参数值单位 R th (j-一个) 接合面至包围的 170 ° c/w 热的抵制标识参数最大值单位 V FP 顶峰向前电压 I PP = 12a, 8/20 µ s DA108S1 DA112S1 9 12 V V F 向前电压 I F = 50 毫安 1.2 V I R 反转泄漏电流 V R = 15V 2 µ 一个电的特性 (t amb =25 ° c)  DA108S1 / DA112S1 2/5

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